【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-422

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-422

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-422

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-422 16 通道背照式硅光电二极管阵列，基板集成封装，出厂预搭载厚型 CsI (Tl) 闪烁体，单像元尺寸 1.175×2.0 mm，像元间距 1.575 mm，主要用于捕捉低能 X 射线，常作为双能成像探头的上层探测单元。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：CsI (Tl)（厚款）

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大反向电压：10 V

• 最大暗电流：30 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：40 pF

• 单像元尺寸：1.175 mm × 2.0 mm

• 像元间距：1.575 mm

• 基板尺寸：25.4 mm × 20.0 mm

• 工作温度：-20℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+80℃

产品特点

1. 背照式结构，入射面无键合引线，闪烁耦合一致性好，装配简单

2. 厚 CsI (Tl) 闪烁层，对低能 X 射线吸收能力强，适合双能上层采集

3. 各通道灵敏度均匀性高，成像信噪比稳定

4. 支持多片横向拼接，拓展长线扫描视野

5. 系列对比：S11212-021 无闪烁体；S11212-121 带 GOS；S11212-321 薄 CsI (Tl)；S11212-422 厚 CsI (Tl)（低能层）

6. 经典双能搭配：上层 S11212-422，下层搭配 S11212-121 或者 S11212-321

应用场景

安检双能 X 射线行李探测、工业 X 射线线扫描无损检测、食品在线异物检测、射线成像线阵探头、物料识别分选设备。

使用注意事项

1. CsI (Tl) 闪烁晶体极易潮解，不可破坏表面密封保护层

2. 闪烁表层禁止硬物刮擦、有机溶剂接触

3. 反向偏压不可超过 10V，防止器件损坏

4. 暗电流随温度上升变大，高精度成像建议稳定环境温度

5. 不适合深紫外检测场景