【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-121
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产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11299-121 16 通道背照式硅光电二极管阵列,基板一体化封装,出厂预搭载 GOS(钆氧硫化物)闪烁体,单像元尺寸 1.175×2.0 mm,像元间距 1.575 mm,属于 S11299 系列,可和 S11212 系列搭配组成双层双能 X 射线成像探头。
核心参数
通道数:16 通道
内置闪烁体:GOS
光谱响应范围:340 nm~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W
最大暗电流:30 pA(VR=10 mV)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:40 pF
单像元尺寸:1.175 mm × 2.0 mm
像元间距:1.575 mm
工作温度:-20℃~+60℃(无凝露)
存储温度:-20℃~+80℃
产品特点
背照结构,入射面无键合引线,闪烁耦合装配简单,不容易损伤感光面
GOS 闪烁层,余辉低、抗潮解,适合低能 X 射线探测
通道之间灵敏度均匀性优秀,成像一致性稳定
支持多片拼接,延长线阵扫描长度
系列对比:S11299-021 无闪烁体;S11299-121 带 GOS;S11299-321 薄 CsI (Tl);S11299-422 厚 CsI (Tl)
和 S11212 系列对比:规格结构接近,S11299 为经济型版本,适合大批量安检设备生产
应用场景
安检双能 X 射线行李探测、工业 X 射线线扫描无损检测、食品在线异物检测、射线成像线阵探头、物料识别分选设备。
使用注意事项
出厂已集成 GOS 闪烁层,无需额外粘贴闪烁晶体
闪烁表层禁止硬物刮擦、有机溶剂接触,避免损坏闪烁层
反向偏压不可超过 10V,防止器件损坏
暗电流随温度升高变大,高精度成像建议稳定环境温度
不适合深紫外检测场景
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