【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-321

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-321

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-321

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-321 16 通道背照式硅光电二极管阵列，基板集成封装，出厂预搭载薄型 CsI (Tl) 闪烁体，单像元尺寸 1.175×2.0 mm，像元间距 1.575 mm，适合高能 X 射线探测，可和 S11212-422、S11212-121 搭配组建双能成像探头。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：CsI (Tl)（薄款）

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大反向电压：10 V

• 最大暗电流：30 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：40 pF

• 单像元尺寸：1.175 mm × 2.0 mm

• 像元间距：1.575 mm

• 基板尺寸：25.4 mm × 20.0 mm

• 工作温度：-20℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+80℃

产品特点

1. 背照结构，感光面无键合引线，装配闪烁体难度低，通道均匀性好

2. 预集成 CsI (Tl) 闪烁体，对高能 X 射线吸收效率优于 GOS，适合高能端采集

3. 多片可拼接延长，组成长线阵扫描探测器

4. 低暗电流，噪声水平稳定，成像一致性高

5. 系列对比：S11212-021 无闪烁体；S11212-121 带 GOS；S11212-321 薄 CsI (Tl)；S11212-422 厚 CsI (Tl)

6. 双能搭配方案：上层 S11212-422 + 下层 S11212-321

应用场景

安检双能 X 射线探测、工业 X 射线线扫描无损检测、厚物料射线检测、食品异物在线检测、射线成像线阵探头、工业探伤设备。

使用注意事项

1. CsI (Tl) 闪烁晶体易潮解，严禁破坏表层密封防护

2. 闪烁层表面禁止硬物刮擦、有机溶剂接触

3. 暗电流随温度升高变大，高精度成像建议稳定环境温度

4. 不适合深紫外检测

5. 反向偏压不要超过 10V