【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-121

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-121

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-121

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-121 16 通道背照式硅光电二极管阵列，基板集成封装，出厂预集成 GOS（钆氧硫化物）闪烁体，单像元尺寸 1.175×2.0 mm，像元间距 1.575 mm，是 S11212 系列里面适合低能 X 射线探测的型号，常搭配 S11212-422 组成双能成像探头。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：GOS

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大暗电流：30 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：40 pF

• 单像元尺寸：1.175 mm × 2.0 mm

• 像元间距：1.575 mm

• 基板尺寸：25.4 mm × 20.0 mm

• 工作温度：-20℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+80℃

产品特点

1. 背照结构，感光面无键合引线，不易损伤，闪烁耦合一致性好

2. 预载 GOS 闪烁体，GOS 余辉低、耐潮解，适合低能 X 射线采集

3. 通道均匀性优秀，像元之间信号差异小，成像稳定

4. 可多片拼接延长探测长度，组成长线阵扫描探头

5. 系列对比：S11212-021 无闪烁体；S11212-121 带 GOS；S11212-321、S11212-422 搭载 CsI (Tl) 闪烁体；121 适合双能方案下层高能接收

应用场景

双能 X 射线安检探测、工业 X 射线线扫描无损检测、食品在线异物检测、物料分选、射线成像线阵探头、工业探伤设备。

使用注意事项

1. 出厂已经集成 GOS 闪烁层，不需要额外贴闪烁晶体

2. 闪烁层表面禁止硬物刮擦、有机溶剂接触，防止损坏闪烁层

3. 暗电流随温度升高变大，高精度成像建议稳定工作温度

4. 适合 X 射线探测，不适合深紫外波段检测

5. 双能成像常用搭配：上层 S11212-422，下层 S11212-121