【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-021

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-021

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-021

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-021 16 通道背照式硅光电二极管阵列，无预耦合闪烁体，单像元尺寸 1.175×2.0 mm，像元间距 1.575 mm，基板集成封装，入射面无引线焊点，可直接贴合闪烁晶体，多用于 X 射线线扫描无损检测、安检设备，同系列还有预带 GOS、CsI (Tl) 闪烁体版本。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大暗电流：30 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：40 pF

• 单像元尺寸：1.175 mm × 2.0 mm

• 像元间距：1.575 mm

• 基板尺寸：25.4 mm × 20.0 mm

• 结构：背照式、无闪烁体

• 工作温度：-20℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+80℃

产品特点

1. 背照结构，感光面无键合引线，耦合闪烁晶体时光损耗低、装配方便

2. 各通道灵敏度均匀性好，边缘像元信号落差小，成像一致性高

3. 低暗电流、低噪声，弱光信号采集稳定

4. 多片可以拼接延长总长，实现更长线阵扫描视野

5. 支持双能成像方案，双层搭配可实现物质识别

6. 系列区分：S11212-021 无闪烁体；S11212-121 预载 GOS 陶瓷闪烁体；S11212-321、S11212-422 搭载 CsI (Tl) 闪烁体

应用场景

安检 X 光行李线扫描探测、工业 X 射线无损探伤、双能射线成像设备、食品在线异物检测、射线位置灵敏探测、物料分选线检测。

使用注意事项

1. 不含闪烁体，探测 X 射线时必须自行搭配适配闪烁晶体

2. 背照裸感光面，耦合、封装过程避免划伤与污染

3. 偏压使用不可超过规格上限，防止器件损伤

4. 暗电流随温度升高变大，高精度成像建议稳定温控

5. 不适合深紫外检测