【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管S12498
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管S12498
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产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12498 方形硅光电二极管,PCB 带引脚基板、无窗口裸片结构,感光面 6.0×6.0 mm,与 S12497 属于同一系列,适合直接贴合 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体耦合,多用于安检 X 光、工业射线探测模组。
核心参数
光谱响应范围:400 nm~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.57 A/W
最大反向电压:10 V
最大暗电流:150 pA(VR=10 mV)
典型上升时间:15 μs(RL=1 kΩ,658 nm)
典型端子电容:380 pF(VR=0V,10kHz)
短路电流:30 μA(100 lx,2856K)
受光面积:6.0 mm × 6.0 mm
窗口:无窗口(裸芯片)
封装:带引脚 PCB 基板封装
工作温度:-20℃~+60℃(无凝露)
存储温度:-20℃~+80℃
产品特点
背照式结构,感光区域无引线遮挡,闪烁晶体可直接贴装,光收集效率高
无窗口设计,减少光吸收损耗,耦合后输出信号稳定
PCB 集成引脚基板,组装便捷,适合批量射线探头生产
暗电流低,噪声水平优异,适合弱光 X 射线信号采集
和 S12497 对比:S12497 感光面 9.5×9.5 mm;S12498 感光面 6.0×6.0 mm,尺寸更小、结电容更低
和前面 S3590 等 PIN 管区分:最大反向电压仅 10V,驱动电路不能通用
应用场景
安检行李 X 射线探测、小型工业 X 光扫描探头、射线计量检测、闪烁耦合 X 射线探测、通用工业光学测光。
使用注意事项
裸片无保护窗口,感光面极易划伤、沾染水汽油污,必须密封封装,不可长期裸露
反向偏压严禁超过 10V,避免器件击穿损坏
耦合闪烁晶体时选用低荧光光学耦合剂,降低界面光损耗
上升时间较长,不适合超高速脉冲信号采集
响应起始 400nm,不适合紫外检测场景
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