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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-256

2026-10-23 11:04:11 admin 0

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-256

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-256


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S13885-256 带放大器光电二极管阵列，背照式 256 通道线性阵列，不含闪烁体，属于新一代 S13885 系列 X 光检测传感器。内置升级 CMOS 信号处理 IC，集成时序发生器、电荷放大器、移位寄存器、钳位保持电路，3.3V 低电压供电，相比前代 S11865、S11866 灵敏度更高，感光面无键合引线，方便自行贴合闪烁体，支持多片串联拼接搭建长线扫描阵列。

核心参数

  • 通道数：256 通道

  • 单通道受光面积：0.1 × 0.3 mm

  • 像元间距：0.2 mm

  • 有效感光总长：51.2 × 0.3 mm

  • 光谱响应范围：200～1000 nm

  • 峰值响应波长：720 nm

  • 供电电压：3.3 V

  • 最大数据速率：1 MHz

  • 最大行速率：3844 行 / 秒

  • 反馈电容：0.125 pF

  • 读出方式：同步积分式

  • 结构：背照式，不含闪烁体

  • 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

  • 储存温度：-55℃～+80℃

  • 冷却方式：非制冷

产品特点

  1. 新一代集成信号处理 ASIC，灵敏度优于 S11865、S11866 系列，低剂量 X 光场景信噪比表现优异

  2. 3.3V 单电源供电，功耗更低，适配便携、低功耗检测设备

  3. 0.2mm 超细像元间距，256 通道，空间分辨率高，适合精细缺陷成像检测

  4. 零偏光电二极管设计，暗电流低，搭配内置钳位电路，噪声低、动态范围宽

  5. 背照式结构，感光面无键合焊盘，贴合闪烁片时不易损伤芯片，支持双层叠装搭建双能 X 光识别方案

  6. 同系列配套型号：S13885-128、S13886-128；预耦合 GOS 闪烁体版本 S13885-256G，开箱直接用于 X 光探测

应用场景

高精度工业 X 光无损探伤、油气管道腐蚀精细检测、X 光安检设备、流水线微小杂质检测、薄板厚度精密测量、高分辨率线扫描 X 光成像、紫外 - 可见光光谱检测模组等。

使用注意事项

  1. 供电严格使用 3.3V，电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片

  2. 本型号不带闪烁体，用于 X 射线检测需要自行选配 CsI (Tl)、GOS 闪烁转换层

  3. 驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号

  4. PCB 布线区分数字时钟与模拟信号区域，做好隔离，降低通道串扰

  5. 芯片脆弱，贴合闪烁体时控制压力，避免芯片碎裂；装配全程防静电

  6. 使用环境严禁结露，水汽会造成芯片、粘接层劣化

  7. 和 S13885-128 对比：256 通道版本像元间距更小、分辨率更高，最大行速率更低


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