【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13886-128G
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13886-128G
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13886-128G

产品概述
核心参数
通道数:128 通道
单通道受光面积:0.7 × 0.8 mm
像元间距:0.8 mm
有效感光总长:102.4 × 0.8 mm
闪烁体类型:磷光荧光片
适用 X 光能量:30 keV~100 keV
闪烁发光峰值:512 nm
光谱响应范围(芯片):200~1000 nm
峰值响应波长:720 nm
供电电压:3.3 V
最大行速率:7568 行 / 秒
最大数据速率:1 MHz
反馈电容:0.125 pF
读出方式:同步积分式
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预耦合磷光荧光片,对低能 X 射线采集灵敏,在双能成像方案里常作为上层低能接收传感器
集成全套信号处理电路,无需外接多路放大,外围硬件电路简洁,开发难度低
3.3V 单电源供电,功耗更低,适合低功耗、便携型 X 光检测设备
零偏光电二极管设计,暗电流低,搭配内置钳位电路,噪声低、动态范围宽
0.8mm 大像元间距,单像元感光面积大,信号强度高,低剂量 X 光场景信噪比优秀
背照结构,感光面无键合焊盘,贴合闪烁层时不易损伤芯片,支持多片首尾拼接、双层叠装实现双能识别
同系列配套型号:S13886-128(无闪烁体)、S13885-128G、S13885-256G
应用场景
使用注意事项
供电严格使用 3.3V,电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片
磷光荧光片耐持续 X 光辐照能力有限,长期照射会逐步衰减;闪烁层质地脆,装配禁止重压撞击
驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号
PCB 布线数字时钟与模拟信号分区隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
使用环境严禁结露,水汽会造成闪烁片、粘接层性能劣化
和 S13885-128G 对比:13886-128G 像元间距更大、单通道信号更强,空间分辨率更低;13885-128G 分辨率更高