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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13886-128G

2026-10-23 11:05:25 admin 0

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13886-128G

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13886-128G


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S13886-128G 带放大器光电二极管阵列,背照式 128 通道线性阵列,出厂预耦合磷光荧光闪烁片,属于新一代 S13886 系列 X 光检测专用传感器。内置升级 CMOS 信号处理 ASIC,集成时序发生器、电荷放大器、移位寄存器、钳位保持电路,3.3V 低电压供电,感光面无键合引线,对低能 X 光响应灵敏,支持多片串联拼接搭建长线扫描阵列。

核心参数

  • 通道数:128 通道

  • 单通道受光面积:0.7 × 0.8 mm

  • 像元间距:0.8 mm

  • 有效感光总长:102.4 × 0.8 mm

  • 闪烁体类型:磷光荧光片

  • 适用 X 光能量:30 keV~100 keV

  • 闪烁发光峰值:512 nm

  • 光谱响应范围(芯片):200~1000 nm

  • 峰值响应波长:720 nm

  • 供电电压:3.3 V

  • 最大行速率:7568 行 / 秒

  • 最大数据速率:1 MHz

  • 反馈电容:0.125 pF

  • 读出方式:同步积分式

  • 工作温度:-20℃~+60℃(无结露)

  • 储存温度:-55℃~+80℃

  • 冷却方式:非制冷

产品特点

  1. 预耦合磷光荧光片,对低能 X 射线采集灵敏,在双能成像方案里常作为上层低能接收传感器

  2. 集成全套信号处理电路,无需外接多路放大,外围硬件电路简洁,开发难度低

  3. 3.3V 单电源供电,功耗更低,适合低功耗、便携型 X 光检测设备

  4. 零偏光电二极管设计,暗电流低,搭配内置钳位电路,噪声低、动态范围宽

  5. 0.8mm 大像元间距,单像元感光面积大,信号强度高,低剂量 X 光场景信噪比优秀

  6. 背照结构,感光面无键合焊盘,贴合闪烁层时不易损伤芯片,支持多片首尾拼接、双层叠装实现双能识别

  7. 同系列配套型号:S13886-128(无闪烁体)、S13885-128G、S13885-256G

应用场景

双能 X 光安检设备、低能 X 光无损探伤、流水线食品 / 物料杂质检测、板材厚度检测、长线扫描 X 光成像、X 光物质识别模组等。

使用注意事项

  1. 供电严格使用 3.3V,电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片

  2. 磷光荧光片耐持续 X 光辐照能力有限,长期照射会逐步衰减;闪烁层质地脆,装配禁止重压撞击

  3. 驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号

  4. PCB 布线数字时钟与模拟信号分区隔离,降低通道串扰

  5. 器件静电敏感,装配全程落实防静电防护

  6. 使用环境严禁结露,水汽会造成闪烁片、粘接层性能劣化

  7. 和 S13885-128G 对比:13886-128G 像元间距更大、单通道信号更强,空间分辨率更低;13885-128G 分辨率更高


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