【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-128G
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-128G
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S13885-128G

产品概述
核心参数
通道数:128 通道
单通道受光面积:0.3 × 0.6 mm
像元间距:0.4 mm
有效感光总长:51.2 × 0.6 mm
闪烁体类型:GOS (Tb),厚度 300μm
适用 X 光能量:30 keV~100 keV
闪烁发光峰值:512 nm
光谱响应范围(芯片):200~1000 nm
峰值响应波长:720 nm
供电电压:3.3 V
最大数据速率:1 MHz
读出方式:同步积分式
反馈电容:0.5 pF
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预封装 GOS 陶瓷闪烁体,X 射线直接转换可见光信号,余辉低,高速扫描拖影抑制效果好,GOS 防潮性能优于 CsI (Tl),降低整机密封难度
集成全套信号处理 ASIC,无需外接多路放大电路,硬件开发简单,支持配套专用驱动板使用
3.3V 单电源供电,功耗更低,适合便携、低功耗检测设备
零偏光电二极管设计,暗电流低,搭配内置钳位电路,噪声低、动态范围宽,低剂量 X 光场景信噪比优异
0.4mm 像元间距,128 通道,空间分辨率适中;背照结构,入射面无键合焊盘,不容易损伤芯片,支持双层叠装实现双能 X 光识别
同系列配套型号:S13885-128(无闪烁体)、S13885-256G、S13886-128G
应用场景
使用注意事项
供电严格使用 3.3V,电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片
GOS 陶瓷质地偏脆,装配固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂脱落
驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号
PCB 布线做好数字时钟与模拟信号隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
使用环境严禁结露,水汽会造成闪烁层、粘接层性能衰减
和 S13885-128 对比:128G 自带 GOS 闪烁体,直接用于 X 光探测;无 G 版本适合光谱等可见光、紫外检测
和 S11865-128G 对比:S13885 系列 3.3V 供电、灵敏度更高、功耗更低,为升级换代型号