产品概述

核心参数

• 通道数：64 通道

• 单通道受光面积：1.6 × 1.6 mm

• 像元间距：1.6 mm

• 有效感光总长：102.4 × 1.6 mm

• 闪烁体类型：GOS (Tb) 陶瓷，厚度 300μm

• 适用 X 光能量：30 keV～100 keV

• 闪烁发光峰值：512 nm

• 光谱响应范围（芯片）：200～1000 nm

• 峰值响应波长：720 nm

• 供电电压：5 V

• 最大行速率：14678 行 / 秒

• 反馈电容：0.5 pF

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 预耦合 GOS 陶瓷闪烁体，开箱即可直接采集 X 射线，余辉低，高速扫描拖影抑制效果好，耐潮性能优于 CsI (Tl) 碘化铯

2. 一体化集成全套信号处理电路，无需外接多路放大，硬件开发简单，可搭配 C9118 驱动板使用

3. 1.6mm 大像元间距，单通道感光面积大，输出信号强，低剂量 X 光场景信噪比优异

4. X 射线耐辐照能力优于 S11865-64G，适合 7×24 小时连续在线检测工况

5. 背照式结构，入射面无键合焊盘，贴合闪烁层时不容易损伤芯片，支持多片首尾拼接、双层叠装实现双能识别

6. 同系列配套型号：S11866-64-02（无闪烁体）、S11866-128-02、S11866-128G-02

应用场景

使用注意事项

1. 供电严格使用 5V，电压异常极易损坏内置 ASIC 芯片

2. GOS 陶瓷质地偏脆，装配固定避免重压、撞击，防止闪烁层开裂脱落

3. 驱动必须匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号

4. PCB 布线数字时钟域与模拟信号分区隔离，降低通道串扰

5. 器件静电敏感，装配全程落实防静电防护

6. 虽 GOS 防潮性能更好，长期使用仍建议整机密封，杜绝结露环境

7. 和 S11866-128G-02 对比：64G-02 读出速度更快、像元尺寸更大；128G-02 通道更多、分辨率更高

8. 和 S11865-64G 对比：光学与时序架构一致，S11866 系列抗辐照性能更强，适合不间断在线设备