【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S11866-128G-02
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S11866-128G-02
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S11866-128G-02

产品概述
核心参数
通道数:128 通道
单通道受光面积:0.3 × 0.6 mm
像元间距:0.4 mm
有效感光总长:51.2 × 0.6 mm
闪烁体类型:GOS (Tb) 陶瓷,厚度 300μm
适用 X 光能量:30 keV~100 keV
闪烁发光峰值:512 nm
光谱响应范围(芯片):200~1000 nm
峰值响应波长:720 nm
供电电压:5 V
最大行速率:7568 行 / 秒
反馈电容:0.5 pF
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预耦合 GOS 陶瓷闪烁体,开箱直接将 X 射线转为可见光,余辉低,连续扫描成像拖影控制效果好,GOS 防潮性优于碘化铯
一体化集成全套信号处理电路,无需外接多路运放,外围硬件设计简单,配套专用驱动板 C9118
0.4mm 像元间距,128 通道,空间分辨率适中,零偏光电二极管,暗电流低、噪声小、动态范围宽,低对比度缺陷识别稳定
X 射线耐辐照能力优于 S11865-128G,适合工业现场长时间连续在线检测工况
背照结构,感光面无键合焊盘,不易损伤芯片,多只串联拼接可搭建超长线阵,支持双层叠装实现双能成像
同系列配套型号:S11866-128-02(无闪烁体)、S11866-64G-02、S11866-64-02
应用场景
使用注意事项
供电严格使用 5V,电压异常极易损坏内置 ASIC 芯片
GOS 陶瓷质地偏脆,装配固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂脱落
需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号,推荐搭配 C9118 驱动板使用
PCB 布线做好数字时钟与模拟信号隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
长期使用建议整机密封,规避持续高湿环境,防止闪烁层性能衰减
和 S11865-128G 对比:光学参数一致,S11866 系列抗辐照能力更强,适合 7×24 小时不间断检测设备