【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-121
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-121
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-121

产品概述
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:2.2 × 2.7 mm
像元间距:2.5 mm
基板尺寸:40.4 × 10.2 mm
闪烁体类型:CsI (Tl) 碘化铯
闪烁发光峰值:560 nm
光谱响应范围(芯片):340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:50 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:75 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:15 V
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预封装 CsI (Tl) 闪烁体,X 射线吸收效率优异,适合高能 X 光采集,适合搭配荧光片版本组成双能成像方案
背照式结构,感光面无键合引线,贴合闪烁层时不易损伤芯片
单通道感光面积大、像元间距宽,单像元信号更强,低剂量 X 光场景信噪比更好
多只串联拼接,可拓展长线扫描视野,适配大视野线扫描成像设备
同系列配套型号:S12362-021(无闪烁体)、S12362-321(GOS 陶瓷)、S12362-421(荧光片);S12363 为同参数宽基板版本
应用场景
使用注意事项
最大反向电压 15V,严禁超压,防止通道芯片损坏
CsI (Tl) 闪烁体极易潮解,整机必须严格密封防潮,禁止在结露环境使用
闪烁层质地脆,安装固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂脱落
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
和 S12362-321 对比:121X 光吸收效率更高;321 余辉更低,适合高速扫描
和 S11212-121 对比:S12362 系列单通道尺寸更大、像元间距更宽,空间分辨率更低,信号更强