HAMAMATSU滨松

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-121

2026-10-23 10:28:35 admin 0

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-121

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-121


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12362-121 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,基板尺寸 40.4 × 10.2 mm,出厂预耦合 CsI (Tl) 碘化铯闪烁体,属于 S12362 系列 X 光检测专用传感器。像元间距 2.5mm,单通道感光面积大,入射面无键合引线,支持多片拼接组成长线阵,X 光吸收效率高,常作为双能成像下层高能接收传感器。

核心参数

  • 通道数:16 通道

  • 单通道受光面积:2.2 × 2.7 mm

  • 像元间距:2.5 mm

  • 基板尺寸:40.4 × 10.2 mm

  • 闪烁体类型:CsI (Tl) 碘化铯

  • 闪烁发光峰值:560 nm

  • 光谱响应范围(芯片):340~1100 nm

  • 峰值响应波长:920 nm

  • 典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)

  • 最大暗电流:50 pA(VR=10mV,单通道)

  • 典型上升时间:6.5 μs

  • 典型端子电容:75 pF(VR=0V,单通道)

  • 最大反向电压:15 V

  • 工作温度:-20℃~+60℃(无结露)

  • 储存温度:-55℃~+80℃

  • 冷却方式:非制冷

产品特点

  1. 预封装 CsI (Tl) 闪烁体,X 射线吸收效率优异,适合高能 X 光采集,适合搭配荧光片版本组成双能成像方案

  2. 背照式结构,感光面无键合引线,贴合闪烁层时不易损伤芯片

  3. 单通道感光面积大、像元间距宽,单像元信号更强,低剂量 X 光场景信噪比更好

  4. 多只串联拼接,可拓展长线扫描视野,适配大视野线扫描成像设备

  5. 同系列配套型号:S12362-021(无闪烁体)、S12362-321(GOS 陶瓷)、S12362-421(荧光片);S12363 为同参数宽基板版本

应用场景

X 光安检设备、工业 X 光无损探伤、流水线物料杂质检测、板材厚度检测、线扫描 X 光成像、双能 X 光物质识别模组等。

使用注意事项

  1. 最大反向电压 15V,严禁超压,防止通道芯片损坏

  2. CsI (Tl) 闪烁体极易潮解,整机必须严格密封防潮,禁止在结露环境使用

  3. 闪烁层质地脆,安装固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂脱落

  4. PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰

  5. 器件静电敏感,装配全程落实防静电防护

  6. 和 S12362-321 对比:121X 光吸收效率更高;321 余辉更低,适合高速扫描

  7. 和 S11212-121 对比:S12362 系列单通道尺寸更大、像元间距更宽,空间分辨率更低,信号更强


首页
产品
新闻
联系