产品概述

核心参数

• 通道数：16 通道

• 单通道受光面积：2.2 × 2.7 mm

• 像元间距：2.5 mm

• 基板尺寸：40.4 × 10.2 mm

• 光谱响应范围：340～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W（920nm）

• 最大暗电流：30 pA（VR=10mV，单通道）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：60 pF（VR=0V，单通道）

• 最大反向电压：15 V

• 结构：背照式，不含闪烁体

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 无预装闪烁体，可按需选配 CsI (Tl)、GOS 陶瓷闪烁片，灵活匹配不同 X 光能量方案

2. 背照结构，感光面无键合引线，贴合闪烁片时不容易损伤芯片

3. 像元间距 2.5mm、单通道感光面积更大，单像元光接收量更高，适合低剂量 X 光成像

4. 多只串联拼接，可拓展超长扫描视野，支持双层叠放实现双能 X 光物质识别

5. 同系列配套预闪烁体型号：S12362-121（CsI (Tl)）、S12362-321（GOS 陶瓷）、S12362-421（荧光片）；S12363 为同参数大基板版本

6. 和 S11212、S11299 对比：S12362 系列像元间距更大、单通道尺寸更大，适合对空间分辨率要求不高、追求高信号的场景

应用场景

使用注意事项

1. 最大反向电压 15V，严禁超压，防止通道芯片损坏

2. 本型号不含闪烁体，探测 X 射线需要自行搭配闪烁转换层

3. 芯片脆弱，贴合闪烁体时压力需要控制，避免芯片碎裂

4. PCB 布线时分通道独立走线，做好隔离，降低通道串扰

5. 器件静电敏感，装配、贴合闪烁体全程落实防静电防护

6. 使用环境严禁结露，水汽会造成芯片、粘接层加速劣化