HAMAMATSU滨松

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-321

2026-10-23 10:30:06 admin 0

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-321

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-321


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12362-321 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,基板尺寸 40.4 × 10.2 mm,出厂预耦合 GOS 陶瓷闪烁体,属于 S12362 系列 X 光检测专用传感器。像元间距 2.5mm,单通道感光面积大,余辉极低,适合高速 X 光线扫描成像,入射面无键合引线,支持多片拼接拓展长线扫描视野。

核心参数

  • 通道数:16 通道

  • 单通道受光面积:2.2 × 2.7 mm

  • 像元间距:2.5 mm

  • 基板尺寸:40.4 × 10.2 mm

  • 闪烁体类型:GOS 陶瓷

  • 闪烁发光峰值:512 nm

  • 光谱响应范围(芯片):340~1100 nm

  • 峰值响应波长:920 nm

  • 典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)

  • 最大暗电流:50 pA(VR=10mV,单通道)

  • 典型上升时间:6.5 μs

  • 典型端子电容:75 pF(VR=0V,单通道)

  • 最大反向电压:10 V

  • 工作温度:-10℃~+60℃(无结露)

  • 储存温度:-20℃~+70℃

  • 冷却方式:非制冷

产品特点

  1. 预封装 GOS 陶瓷闪烁体,断电 100ms 后余辉仅 0.01%,高速扫描拖影抑制效果优异,适合流水线连续检测

  2. 背照式结构,感光面无键合引线,贴合闪烁层时不容易损伤芯片

  3. 单通道感光面积大、像元间距宽,输出信号强度高,低剂量 X 光场景信噪比表现良好

  4. 成像均匀性优秀,GOS 陶瓷耐潮性优于 CsI (Tl),降低整机密封难度

  5. 支持多片串联拼接,可搭建超长线阵;可双层叠装,用于双能 X 光物质识别方案

  6. 同系列配套型号:S12362-021(无闪烁体)、S12362-121(CsI (Tl))、S12362-421(荧光片);S12363 为同参数宽基板版本

应用场景

高速 X 光安检设备、工业 X 光在线无损探伤、流水线杂质分选、板材厚度检测、高速线扫描 X 光成像、双能 X 光识别模组等。

使用注意事项

  1. 最大反向电压 10V,严禁超压,防止通道芯片损坏

  2. GOS 陶瓷质地偏脆,安装固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂

  3. PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰

  4. 器件静电敏感,装配全程落实防静电防护

  5. 虽抗潮性能更好,长期使用仍建议整机密封,规避高湿环境

  6. 和 S12362-121 对比:321 余辉更低、成像均匀度好;121X 光吸收效率更高,适合低速低剂量场景

  7. 和 S11212-321 对比:S12362 系列单像元尺寸更大、间距更宽,信号更强,空间分辨率更低


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