【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-021
2026-10-23 10:25:45
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-021
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-021
产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11299-422 硅光电二极管阵列，背照式 16 通道线性阵列，细长窄基板款式，出厂预耦合磷光荧光闪烁片，属于 S11299 系列 X 光检测专用传感器，基板轻薄紧凑，感光面无键合引线，支持多片拼接长线阵，适配紧凑型设备的低能 X 光探测方案。
核心参数
通道数：16 通道
单通道受光面积：1.175 × 2.0 mm
像元间距：1.575 mm
基板尺寸：25.4 × 10.2 mm
闪烁体类型：磷光荧光片
光谱响应范围（芯片）：340～1100 nm
峰值响应波长：920 nm
典型灵敏度：0.61 A/W（920nm）
最大暗电流：30 pA（VR=10mV，单通道）
典型上升时间：6.5 μs
典型端子电容：40 pF（VR=0V，单通道）
最大反向电压：15 V
工作温度：-20℃～+60℃（无结露）
储存温度：-55℃～+80℃
冷却方式：非制冷
产品特点
预耦合磷光荧光片，对低能 X 射线响应灵敏，适合作为双能成像上层低能接收传感器
背照结构，入射面没有键合引线，贴合闪烁层时不易损伤芯片，多片串联可延长扫描视野
窄薄小型基板，相比 S11212-422 高度更小，适合空间受限的薄型 X 光设备
像元一致性良好，通道灵敏度偏差小，成像画面干净稳定
同系列配套型号：S11299-021（无闪烁体）、S11299-121（CsI (Tl)）、S11299-321（GOS 陶瓷）
应用场景
紧凑型双能 X 光安检设备、低能 X 光无损检测、流水线食品异物检测、薄型线扫描成像模组、物料厚度检测、X 光物质识别模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V，严禁超压，防止通道芯片损坏
磷光荧光片耐辐照性能一般，长期强光、X 光持续照射容易衰减老化
闪烁层质地脆，安装固定避免重压、撞击，防止闪烁层开裂脱落
PCB 布线时分通道独立走线，做好隔离，降低通道串扰
器件静电敏感，装配全程落实防静电防护
和 S11299-121、321 对比：422 主打低能 X 光采集，多用于双能方案上层；121 吸收效率高，321 余辉最低