【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-021
2026-10-23 10:17:54
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-021
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-021

产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11299-021 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,细长基板款式,无闪烁体,属于 S11299 系列 X 光检测配套传感器,基板尺寸相比 S11212 系列更薄更窄,方便紧凑结构布局,入射面无键合引线,可自行贴合闪烁体,支持多片拼接成长线阵。
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:1.175 × 2.0 mm
像元间距:1.575 mm
基板尺寸:25.4 × 10.2 mm
光谱响应范围:340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:30 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:40 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:15 V
结构:背照式,不含闪烁体
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
无预装闪烁体,客户可按需选配 CsI (Tl)、GOS 等闪烁片,适配不同 X 光能量方案
背照结构,感光面无键合引线,贴合闪烁体时不容易损伤芯片引线
细长窄基板设计,整机空间紧张的设备更容易排布,多只串联拼接可拓展长线扫描视野
像元一致性良好,支持双层叠装,实现双能 X 光成像
同系列配套型号:S11299-121(CsI (Tl))、S11299-321(GOS 陶瓷)、S11299-421(荧光片)
和 S11212 系列对比:光学芯片参数一致,S11299 基板更薄、高度更小,适合窄结构设备
应用场景
X 光安检机、紧凑型工业 X 光无损探伤、流水线异物检测、薄型线扫描 X 光成像、双能 X 光识别模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V,严禁超压,防止通道芯片损坏
本型号不带闪烁体,探测 X 射线必须自行搭配闪烁转换层
芯片质地脆弱,贴合闪烁片时控制压力,避免压裂芯片
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配、贴合闪烁体全程做好防静电防护
使用环境严禁结露,水汽会造成芯片、粘接层性能劣化
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