【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-422
2026-10-23 10:14:48
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-422
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-422

产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-422 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,出厂预耦合磷光片(荧光片)闪烁体,属于 S11212 系列 X 光检测专用传感器,入射面无键合引线,适合搭配其他型号组成双能 X 光成像,多用于低能 X 射线检测场景。
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:1.175 × 2.0 mm
像元间距:1.575 mm
闪烁体类型:磷光片(荧光片)
光谱响应范围(芯片):340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:30 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:40 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:15 V
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预耦合磷光闪烁片,对低能 X 射线响应优异,常作为双能成像上层传感器使用
背照结构,受光面无引线焊盘,不易损伤,支持多片串联拼接拓展长线扫描视野
像元一致性好,通道灵敏度偏差小,成像均匀稳定
适合和 S11212-121、S11212-321 上下组合,实现双能 X 光物质识别
同系列型号:S11212-021(无闪烁体)、S11212-121(CsI (Tl))、S11212-321(GOS 陶瓷)
应用场景
双能 X 光安检设备、低能 X 光无损检测、流水线杂质分选、物料厚度检测、食品异物检测、X 光成像模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V,严禁超压,防止通道芯片损坏
磷光片耐候性一般,避免强光、高温长期照射,防止衰减老化
闪烁层质地较脆,安装时避免重压、撞击,防止闪烁层破损
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
和 121、321 对比:422 主打低能 X 光接收,多用于双能方案上层;121 吸收效率高,321 余辉最低
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