【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-321
2026-10-23 10:12:37
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-321
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-321
产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-321 硅光电二极管阵列，背照式 16 通道线性阵列，出厂预耦合 GOS 陶瓷闪烁体，属于 S11212 系列 X 光检测专用传感器，入射面无键合引线，支持多片拼接组成长线阵，余辉极低，适合高速 X 光扫描成像场景。
核心参数
通道数：16 通道
单通道受光面积：1.175 × 2.0 mm
像元间距：1.575 mm
闪烁体类型：GOS 陶瓷
闪烁发光峰值：512 nm
光谱响应范围（芯片）：340～1100 nm
峰值响应波长：920 nm
典型灵敏度：0.61 A/W（920nm）
最大暗电流：30 pA（VR=10mV，单通道）
典型上升时间：6.5 μs
典型端子电容：40 pF（VR=0V，单通道）
最大反向电压：10 V
工作温度：-10℃～+60℃（无结露）
储存温度：-20℃～+70℃
冷却方式：非制冷
产品特点
预耦合 GOS 陶瓷闪烁体，余辉极小（断电 100ms 后余辉仅 0.01%），适合高速连续扫描成像，拖影抑制效果优异
背照结构，受光面无引线焊盘，不易损伤，多只串联拼接可拓展长线扫描视野
灵敏度均匀性优秀，偏差 ±5%，成像画面均匀度优于 CsI (Tl) 版本
GOS 陶瓷化学稳定性好，不易潮解，对比 CsI (Tl) 版本防潮压力更低
同系列型号：S11212-021（无闪烁体）、S11212-121（CsI (Tl)）、S11212-422（荧光片），可搭配实现双能 X 光成像
应用场景
高速 X 光安检机、工业 X 光在线探伤、流水线物料杂质检测、高速线扫描 X 光成像、厚度检测、双能 X 光识别模组等。
使用注意事项
最大反向电压 10V，严禁超压，防止通道芯片损坏
GOS 陶瓷质地偏脆，安装时避免重压、撞击，防止闪烁层开裂
PCB 布线时分通道独立走线，做好隔离，降低通道串扰
器件静电敏感，装配全程落实防静电防护
虽然 GOS 抗潮性优于 CsI (Tl)，整机依旧建议密封，避免长期高湿环境
和 S11212-121 对比：321 余辉更低、均匀性更好；121X 光吸收效率更高，适合低剂量场景