【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-121
2026-10-23 10:11:37
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-121
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-121

产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-121 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,出厂预耦合 CsI (Tl) 碘化铯闪烁体,属于 S11212 系列 X 光检测专用传感器,入射面无键合引线,可多只拼接组成长线阵,适合中低能 X 光成像检测。
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:1.175 × 2.0 mm
像元间距:1.575 mm
闪烁体类型:CsI (Tl)
闪烁发光峰值:560 nm
光谱响应范围(芯片):340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:30 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:40 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:15 V
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预封装 CsI (Tl) 闪烁体,直接将 X 射线转换为可见光信号,无需自行贴合闪烁片,装配简便
背照结构,受光面无引线焊盘,不容易损伤,支持多片串联拼接,拓展长线扫描视野
像元一致性优秀,通道间灵敏度偏差小,成像均匀性好,支持双能 X 光成像方案
CsI (Tl) 闪烁体 X 光吸收效率高,余辉控制良好,适合连续扫描成像
同系列还有 S11212-021(无闪烁体)、S11212-321(GOS 陶瓷)、S11212-422(荧光片),适配不同 X 光能量场景
应用场景
X 光安检设备、工业 X 光无损探伤、线扫描 X 光成像、物料杂质检测、厚度测量、双能 X 光识别模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V,严禁超压,防止通道芯片损坏
CsI (Tl) 闪烁体易潮解,整机必须做好防潮密封,环境严禁结露
闪烁层质地脆,使用、安装时避免重压、撞击,防止闪烁层开裂脱落
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
和 S11212-021 对比:本型号自带 CsI (Tl) 闪烁体,开箱即可用于 X 光探测
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