【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-021
2026-10-23 10:10:11
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-021
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11212-021

产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11212-021 硅光电二极管阵列,背面入射型 16 通道线性阵列,不带闪烁体,专为 X 射线无损检测配套设计,入射面无引线焊盘,可直接贴合客户自行选配的闪烁片,多片拼接可组成长线性传感器。
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:1.175 × 2.0 mm
像元间距:1.575 mm
光谱响应范围:340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:30 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:40 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:15 V
结构:背照式,无闪烁体
工作温度:-20℃~+60℃(无结露)
储存温度:-55℃~+80℃
冷却方式:非制冷
产品特点
背照结构,受光面无键合引线,方便贴合闪烁体,不容易损伤引线
16 像元线性排布,支持多只串联拼接,实现超长线阵探测
低暗电流,信噪比稳定,适合 X 光转换后的可见光信号采集
同系列有预装闪烁体版本:S11212-121、S11212-321、S11212-422,适配不同 X 光能量
线性一致性好,适合成像类线扫描采集
应用场景
X 光安检机、工业 X 光无损探伤、线扫描 X 光成像、物料检测、厚度检测、双能成像模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V,禁止超压,防止通道损坏
本型号不含闪烁体,探测 X 光需要自行搭配 CsI (Tl)、GOS 等闪烁片
背照芯片脆弱,贴合闪烁体时压力不可过大,避免芯片碎裂
PCB 布线时分通道独立走线,降低通道串扰
器件静电敏感,装配、贴合闪烁体全程防静电
使用环境严禁结露,水汽会造成芯片与粘接层劣化
和 S4111 光学阵列区分:S11212 系列主打 X 光无损检测配套,不是普通分光用途
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