在超薄晶圆加工中是不是总被一个 “矛盾” 困住？用 DISCO TAIKO 工艺研磨，

能保留 3mm 边缘圆环减少翘曲，让 100μm 以下超薄晶圆搬运不碎；可这层 “防护圈” 又成了后续加工的 

“绊脚石”—— 常规电性测试机测不了，晶粒切割机切不了，必须先去环才能继续！

传统去环要么用刀片切割，贴 UV 膜、照紫外光，工序繁琐还易刮伤晶圆；

要么买 DISCO 专用切割机，价格贵到肉疼！而今天要拆解的 “TAIKO 晶圆激光切环技术”，

堪称行业破局神器：正面不贴蓝膜省工序，特殊切割盘设计防粘连，

破片率从 8% 骤降至 0.8%，成本直接砍半！不管是半导体工艺工程师、晶圆加工厂管理者还是行业创业者，

收藏起来直接对标量产，搞定超薄晶圆去环的 “老大难” 问题～

一、先搞懂：TAIKO 工艺为啥离不开激光切环？

要明白激光切环的重要性，得先理清 TAIKO 工艺的 “功与过”—— 它解决了超薄晶圆的搬运难题，却带来了取环的新挑战：

1. TAIKO 工艺：超薄晶圆的 “防护圈”

随着芯片向 “更薄、更小、更高性能” 发展，100μm 以下的超薄晶圆需求激增，

但这类晶圆柔软有弹性，传统全片研磨后易翘曲、一拿就碎。DISCO 的 TAIKO 工艺应运而生：

核心原理：研磨时只减薄晶圆中间区域，保留外围 3mm 左右的边缘圆环，形成 “中间薄、边缘厚” 的结构；

核心优势：边缘圆环相当于 “防护圈”，减少晶圆翘曲，搬运时不易受力破损，破片率从传统研磨的 12% 降至 2%；

适用场景：50-100μm 超薄晶圆加工，适配高端芯片、TSV 工艺、CMOS 图像传感器等需求。

2. 边缘圆环的 “副作用”：后续加工卡脖子

TAIKO 工艺的边缘圆环虽好，却让后续两步关键工序无法推进：

电性测试受阻：测试机台需要晶圆背面完全平整接触测试盘，

但 TAIKO 晶圆边缘未研磨，背面凹凸不平，无法直接测试，不测试就封装会导致不良成本飙升；

晶粒切割受阻：常规晶粒切割机台只能处理全片平整的晶圆，边缘圆环会挡住切割路径，不先去环就无法切割晶粒；

行业痛点：要么改造测试机台（成本高、周期长），要么去环（传统方案效率低、易损晶圆）。

划重点：激光切环技术的核心价值，就是用 “低成本、高效率、

低损伤” 的方式去除边缘圆环，既保留 TAIKO 工艺的优势，又不耽误后续加工 —— 这也是它成为超薄晶圆量产 “刚需” 的关键！

二、激光切环 vs 刀片切环：为啥激光是 “最优解”？

晶圆去环主要有两种技术：刀片切环和激光切环。两者一对比，激光切环的优势直接碾压：


实操案例：某半导体厂之前用刀片切环，处理 50μm TAIKO 晶圆时破片率达 10%，

UV 膜 + 人工成本每月超 6 万元；换成激光切环后，破片率降至 0.5%，每月节省成本 3.2 万元，效率提升 40%！

三、激光切环核心技术：3 大设计 + 2 大参数，解决所有痛点

激光切环看似简单，实则要解决 “粘连、裂片、切不透” 三大痛点。文档中的核心技术方案，全是可落地的实操技巧：

1. 特殊切割盘设计：防粘连、防裂片

激光切割时，晶圆正面朝下放置，金属电路受热易熔化粘连切割盘，

取晶圆时一拉就碎。针对这个问题，设计了带 “凹槽 + 托件” 的专用切割盘：

圆环凹槽：切割盘是真空吸盘，在激光切割位置设计 4×4mm 的圆环凹槽，切割路径正好落在凹槽中间；

防粘连原理：晶圆切割区域不与切割盘直接接触，金属熔化后不会粘在盘面上，取晶圆时无拉扯力，避免裂片；

精准适配：凹槽位置按晶圆尺寸定制 ——6 英寸 TAIKO 晶圆内圆直径约 139mm，

8 英寸约 195mm，确保切割路径精准落在凹槽中；

托件设计：切割盘两侧装小托件，激光切透圆环后，轻托托件就能均匀受力顶起圆环，避免手动取圆环时碰碎晶圆主体。

2. 正面不贴蓝膜：省工序、降成本

传统刀片切环必须贴 UV 膜保护晶圆、避免切伤切割盘，而激光切环直接省掉这步：

核心优势：晶圆正面朝下直接放切割盘，真空吸附固定，不用贴蓝膜、不用照紫外光，

工序减少 2 步，每片晶圆节省 0.5 元耗材成本 + 30 秒加工时间；

特殊情况适配：若后工序需要贴膜，可贴 “激光穿透膜”，激光能直接穿过膜切割晶圆，不损伤膜，后续仍能正常使用。

3. 工艺参数优化：切得透、边缘滑

激光切环的参数直接影响切割效果，文档给出了经过验证的最优参数组合：

切割速率：推荐 80mm/s，速率超过 120mm/s 会导致边缘毛刺严重（光斑叠加减少，单位面积受热不足，切割深度不均）；

切割圈数：按晶圆厚度调整 ——50-60μm 晶圆切 3 圈，120μm 晶圆切 6 圈（单次切割深度约 25μm，多圈叠加切透）；

切缝宽度：单次切割缝宽 10-15μm，多圈切割后略有加宽，但不影响后续晶粒切割；

定位方式：在晶圆内圆边标记 3 个点，三点确定切割路径，确保圆环切割精准，不损伤晶圆主体。

避坑提醒：某厂曾把切割速率调到 150mm/s 追求效率，

结果 50% 的晶圆边缘有毛刺，20% 未切透，去环时直接裂片；调整回 80mm/s 后，不良率直接归零！

四、激光切环的 4 大核心优势：量产必备

1. 破片率骤降：从 8%→0.8%

非接触式切割无机械应力，配合凹槽 + 托件设计，彻底避免拉扯、挤压导致的晶圆碎裂，50μm 超薄晶圆也能稳定加工。

2. 成本直省 50%

省掉 UV 膜耗材、紫外光照工序、贴膜人工，按每月加工 10 万片晶圆算，每月节省成本超 3 万元。

3. 效率提升 40%

工序减少 2 步，单片加工时间从 90 秒缩短至 54 秒，产能直接提升，不用额外增加设备就能满足量产需求。

4. 切割精度高

切缝窄（10-15μm）、边缘光滑无毛刺，不影响后续晶粒切割和封装，良率从 92% 提升至 99.2%。

五、实操避坑指南：3 个关键注意事项

1. 切割盘维护：定期清洁凹槽

切割盘凹槽容易堆积晶圆碎屑，若不清理，会导致晶圆放置不平整，切割时受力不均，建议每天加工结束后用高压气枪清理凹槽。

2. 参数匹配：按晶圆厚度调整圈数

不要所有厚度晶圆都用同一圈数 ——50μm 晶圆切 3 圈足够，

切多了会过度受热损伤晶圆；120μm 晶圆切 3 圈切不透，去环时易裂片，必须切 6 圈。

3. 真空吸附：压力适中

切割时真空吸附压力要控制在 0.3-0.5MPa，压力太小晶圆易移位，压力太大易压碎超薄晶圆，建议每次换批次时校准吸附压力。

六、总结：激光切环是 TAIKO 工艺量产的 “最后一公里”

TAIKO 工艺解决了超薄晶圆的 “搬运难、易碎裂” 问题，

激光切环则解决了 TAIKO 晶圆的 “后续加工难” 问题 —— 两者搭配，才实现了 100μm 以下超薄晶圆的稳定量产。

激光切环的核心竞争力，在于 “精准解决行业痛点”：不用改造设备、

不用增加太多成本，就能通过 “特殊切割盘 + 优化参数 + 简化工序”，实现低破片、高效率、

低成本去环，这也是它能替代刀片切环、成为行业主流的关键。

随着超薄晶圆需求的持续增长，激光切环技术必将成为半导体高端加工的 “必备技能”—— 提前掌握这项技术，

才能在高端芯片量产中占据优势！