OTSUKA 大塚电子 膜厚测量系统 FE-3700

一、基础信息

• 测量原理：紫外–可见–近红外 光谱反射干涉法（无损、非接触）

• 光谱范围：230–1700 nm（UV–NIR）

• 核心功能：膜厚、折射率 n、消光系数 k、多层膜解析、2D/3D 厚度分布

• 载台：全自动 XYθ 三轴，兼容300 mm 晶圆 / 大尺寸玻璃基板

• 光斑：φ5 μm～φ100 μm（显微可选 φ3 μm）

• 适用基板：硅、玻璃、石英、蓝宝石、金属等

二、技术参数

• 膜厚范围：1 nm ～ 500 μm

• 重复精度：≤±0.05 nm（超薄膜）

• 单点时间：＜1 秒

• 光谱分辨率：≤2 nm

• 最大解析层数：20 层

• 光学常数精度：n/k 解析误差 **＜0.5%**

• 载台行程：300×300 mm（可定制更大）

• 扫描模式：网格、全域、定点、线扫描

• 输出：2D/3D Map、均匀性报告、SPC 统计

三、产品特点

1. 超宽光谱 + 纳米精度：UV–NIR 全波段，兼顾1 nm 超薄膜与500 μm 厚膜，重复精度达0.05 nm。

2. 全自动大面积 Mapping：三轴电动载台，300 mm 晶圆 / 大尺寸显示基板全域扫描，快速检出厚度不均、翘曲。

3. 多层膜精准解析：最多20 层薄膜结构同步反演，适配半导体 ILD、STI、显示 ITO/PI/CF 叠层。

4. 显微微区测量：最小φ3 μm 光斑，可测芯片、微线路、像素区等微小区域。

5. 全材质兼容：硅片、玻璃、石英、蓝宝石、金属、光刻胶、光学膜等均可稳定测量。

6. 量产级稳定：洁净室适配、防尘防振，支持24 小时连续检测，每小时超 3000 点。

四、典型应用

• 半导体：300 mm 晶圆、CMP 氧化层、STI 浅沟槽、ILD 层、高 k 介质（HfO₂）、厚场氧 / 钝化膜。

• 显示：LCD/OLED ITO/PI/OC/CF、TFT SiN/a-Si、有机 EL 膜层、玻璃基板全域均匀性。

• 光学镀膜：增透 / 高反 / 滤光膜、多层光学膜、偏振膜、相位差膜。

• 研发 / 质控：新品工艺开发、首件确认、批量抽检、厚度分布 Mapping、缺陷追溯。