OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 Load Port对应膜厚仪
OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 Load Port对应膜厚仪OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 Load Port对应膜厚仪一、基础信息设备型号：GS-300测量原理：分光干涉法，搭配同轴显微光学组件与红外相机，非接触无损检测适配晶圆：最大直径 300mm（12 英寸）运动平台：RθXY 高精度位移平台整机尺寸：500×500×1680mm通讯方式：SE
OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 Load Port对应膜厚仪
OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 Load Port对应膜厚仪
一、基础信息
设备型号：GS-300测量原理：分光干涉法，搭配同轴显微光学组件与红外相机，非接触无损检测适配晶圆：最大直径 300mm（12 英寸）运动平台：RθXY 高精度位移平台整机尺寸：500×500×1680mm通讯方式：SECS/GEM、LAN、USB安装形式：集成于 EFEM 备用端口，兼容标准 Load Port 与 FOUP 晶圆传送盒
二、技术参数
XY 轴定位精度：≤2μm具备晶圆缺口、平直边自动识别与角度校正功能，支持 TSV 及埋入式线路图案对位硅基膜厚测量范围：6μm~1300μm测量重复精度：≤±0.1μm测量光斑范围：φ5μm~φ50μm采用近红外光谱检测，可穿透硅材料、树脂胶层单枚晶圆全域测量时长：≤30 秒支持单层、多层结构同步解析，适配硅片、玻璃、复合基板等多种基材
三、产品特点
无缝对接产线标准组件，无需大幅改造设备，可接入现有 Load Port 与 EFEM 系统，实现自动化流转。
定位精度高，搭配视觉对位功能，既能完成整片晶圆厚度测绘，也可对细微图案区域精准检测。
测量量程宽泛，可覆盖超薄研磨硅片、厚层硅基体、临时键合树脂层等不同规格样品。
全流程自动化运行，从晶圆载入、对位、测量到出料无需人工干预，可长时间连续作业。
配套软件可生成二维、三维厚度分布图、等高线及统计报表，满足制程数据追溯与分析需求。
设备占地空间小，产线环境适应性强，具备抗震动、自动校准能力，运行状态稳定。
四、应用场景
常规半导体晶圆：整片厚度分布、背面研磨制程、氧化层、钝化膜检测。
先进封装工艺：TSV 结构晶圆剩余硅层厚度、盲孔深度及均匀性检测。
临时键合制程：复合晶圆粘接树脂层厚度与全域均匀性管控。
平坦化工艺：CMP 加工后晶圆表面膜厚及凹凸缺陷检测。
功率器件：碳化硅、氮化镓外延层、厚光刻胶等材料检测。
五、使用规范
设备安装在产线固定区域，保持环境洁净，远离强震动、强电磁干扰及粉尘。
定期检查光学镜头、运动平台及传送机构，保持部件清洁，避免异物影响运行与测量精度。
仅由专业人员调整设备参数、测量点位及程序，禁止随意改动系统设置。
按照设备要求定期使用标准试片完成精度校准，保障检测数据准确。
日常做好设备防尘防护，停机后按规范关闭整机电源。