OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 自动Mapping系统
OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 自动Mapping系统OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 自动Mapping系统一、基础信息型号：GS-300（自动 Mapping / 产线集成型）适用场景：12 寸（φ300mm）半导体晶圆、TSV、临时键合、背面研磨、CMP 等集成方式：直接嵌入φ300mm EFEM 设备前端模组备用端口，兼容标准 Load Por
OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 自动Mapping系统
OTSUKA 大塚电子 对应膜厚测量系统 GS-300 自动Mapping系统
一、基础信息
型号：GS-300（自动 Mapping / 产线集成型）
适用场景：12 寸（φ300mm）半导体晶圆、TSV、临时键合、背面研磨、CMP 等
集成方式：直接嵌入φ300mm EFEM 设备前端模组备用端口，兼容标准 Load Port
测量原理：分光干涉式（同軸顕微ヘッド + IR カメラ），非接触无损
平台：RθXY 高精度运动平台
外形尺寸：500×500×1680mm（不含显示器 / 键盘）
重量：约 200kg
控制：内置 PC，专用 Mapping 软件，支持 SECS/GEM、USB、LAN
核心定位：量产线全自动、高吞吐量、纳米级膜厚分布测量
二、核心技术参数
最大晶圆尺寸：φ300mm（12 寸）
位置精度：X-Y 定位≤2μm（全行程）
角度校正：支持 Notch/Flat 自动识别与对准
图案对准：IR 相机 + 图案匹配，适配TSV / 埋入布线图案
膜厚测量范围（硅换算）：6–1300μm（对应 SF-3 传感器规格）
膜厚重复精度：≤±0.1μm（典型值）
测量光斑：标准 φ10–50μm，最小 φ5μm
光谱波段：近红外（IR），适配硅 / 树脂 / 厚膜
测量时间：≤30 秒 / 整片 300mm 晶圆（标准 Mapping）
层数解析：支持单层 / 多层膜（含临时键合层、氧化层、树脂层）
基板适配：硅、玻璃、石英、复合基板、临时贴合晶圆
三、关键特点
- EFEM 原生集成，产线无缝对接直接装入 300mm EFEM 备用端口，无需改造产线；标准 Load Port 兼容，支持自动上下料与 FOUP 传输，适配 Fab 自动化流程。
- RθXY 超高精度运动 + 图案对准X-Y 定位≤2μm，θ 角度自动校正；IR 相机识别晶圆 Notch/Flat 与 TSV 埋入图案，实现微区精准定位 + 整片均匀 Mapping。
- 超宽量程，覆盖超薄至厚硅层硅换算 6–1300μm，可测研磨后超薄硅（≤50μm）、厚硅层（≥800μm）、TSV 剩余硅、临时键合树脂层等极端工况。
- 全自动高吞吐量，适配量产从晶圆载入→对准→多点测量→数据生成→下料全流程自动；支持24 小时连续运行，满足半导体高产能要求。
- 紧凑设计，节省 Fab 空间500×500mm 占地面积，比传统离线机节省 50% 空间；可直接安装于 EFEM 旁，无需独立机房。
- 丰富 Mapping 与数据分析自动生成2D/3D 膜厚分布图、等高线图、偏差报告；支持自定义测量点位（网格 / 径向 / 用户指定），数据可追溯与 SPC 统计。
- 稳定可靠，适配严苛工艺非接触测量无晶圆损伤；抗振动设计适配产线环境；高精度自动校准单元，长期稳定性好。
四、典型应用
半导体晶圆：300mm 硅晶圆厚度分布、背面研磨后超薄硅、厚氧化层、钝化膜
TSV 先进封装：TSV 埋入图案晶圆研磨后硅厚、盲孔深度、剩余硅层均匀性
临时键合 / 解键合：临时贴合晶圆（Si / 复合 / 支撑基板）树脂层厚度与均匀性
CMP / 平坦化：CMP 后晶圆表面膜厚分布、局部凹陷 / 凸起检测
功率器件：SiC/GaN 外延层、厚光刻胶、钝化膜、金属层间介质