OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/1300
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/1300OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/1300一、基础信息测量原理：分光干涉法 + FFT 解析算法光源：Class 3B 半导体激光检测方式：单点测量，可搭配扫描平台完成全域厚度测绘主机尺寸：123×224×128mm供电方式：DC24V，交流电源适配器需另配通讯接口：LAN、I/O 触发接口探头工作距离：可选 5
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/1300
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/1300
一、基础信息
测量原理：分光干涉法 + FFT 解析算法光源：Class 3B 半导体激光检测方式：单点测量，可搭配扫描平台完成全域厚度测绘主机尺寸：123×224×128mm供电方式：DC24V，交流电源适配器需另配通讯接口：LAN、I/O 触发接口探头工作距离：可选 50mm、80mm、120mm、150mm、200mm测量光斑：直径 φ20–27μm
二、技术参数
硅晶圆测量范围：50μm~1300μm树脂 / 胶层测量范围：100μm~2600μm测量精度：≤±0.1%重复精度：≤±0.01%采样速率：5kHz，单次采样用时 200μs可解析层数：最多 5 层复合结构适配晶圆规格：200mm、300mm
三、产品特点
整机量程为系列之最，专门应对特厚硅片、超厚粘接胶层等特殊检测需求。
非接触式检测，不会划伤、污染晶圆，有效保护高价值厚规格基材。
采样速度快，可匹配背面研磨、化学机械抛光等高速制程，实现实时工艺管控。
多款工作距离探头可选，安装灵活，能够穿透保护膜、观察窗完成内部测量。
支持五层结构同步测厚，可精准分析临时键合晶圆的多层厚度数据。
内置抗干扰算法，可抵消震动、温度波动带来的影响，长期运行数据稳定。
机身小巧，分体式探头设计，既便于集成到自动化产线，也适用于实验室抽检作业。
四、使用规范
设备放置在洁净干燥区域，远离强震动、强电磁干扰及高温环境。
光纤与探头轻拿轻放，严禁弯折、挤压光纤，做好光学端面防护。
检测前清理晶圆表面杂质，设备运行期间禁止触碰探头与运动部件。
定期清洁光学组件并完成设备校准，保证测量精度。
设备参数、预警阈值仅由专业人员调整，禁止随意改动设置。
长期停机时做好防尘处理，断开电源并收纳各类配件。
五、使用方法
连接主机、探头、电源及通讯线路，通电后启动设备与配套软件，等待自检完成。
根据样品材质、厚度、层数，设置对应的测量参数。
将晶圆平稳放置在检测工位，对准测量点位。
启动检测程序，读取实时厚度数据；搭配扫描平台可完成整片晶圆厚度分布测绘。
检测完毕后保存并导出数据，取下待测样品。
全部工作结束，依次关闭软件与设备电源，清洁设备并做好防尘。
六、应用场景
适用于 200mm、300mm 特厚硅晶圆、化合物晶圆检测，可应用于背面研磨、化学机械抛光、蚀刻、临时键合等半导体制程；同时可测量晶圆表面超厚树脂层、粘接胶、保护膜厚度，用于产线在线监控、工艺验证与成品抽样检测。