OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/800
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/800OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/800半导体厚晶圆 / 厚胶层专用非接触测厚仪，量程覆盖厚硅片与超厚树脂层，高速高精度，支持多层解析，适配 200/300mm 晶圆，用于 BG、CMP、临时键合等制程的厚规格管控。一、基础信息测量原理：分光干涉法 + 专利 FFT 解析算法光源：Class 3B 半导体激光检测方
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/800
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/800
半导体厚晶圆 / 厚胶层专用非接触测厚仪，量程覆盖厚硅片与超厚树脂层，高速高精度，支持多层解析，适配 200/300mm 晶圆，用于 BG、CMP、临时键合等制程的厚规格管控。
一、基础信息
测量原理：分光干涉法 + 专利 FFT 解析算法
光源：Class 3B 半导体激光
检测方式：单点高精度测量，可配 XY 平台做全域 Mapping
主机尺寸：123×224×128mm
供电：DC24V（AC 适配器另购）
通讯：LAN（TCP/IP）、I/O 触发
探头工作距离 WD：50/80/120/150/200mm（可选）
光斑直径：φ20–27μm
二、核心技术参数
硅晶圆厚度范围：20–1000μm
树脂 / 胶层厚度范围：40–2000μm
测量精度：±0.1% 以下
重复精度：≤±0.01%
采样速度：5kHz（200μs / 次）
多层解析：最多5 层同时测量
适用晶圆尺寸：200mm、300mm
三、关键特点
超厚量程：SF-3 系列中量程第二大，适配厚硅片、玻璃基板及超厚树脂层。
非接触无损：光学测量无机械接触，避免晶圆损伤污染，适配脆弱厚基材。
高速实时监控：5kHz 采样，匹配 BG、CMP 等高速制程闭环控制。
长工作距离：可选 WD200mm，易集成产线，可穿透保护膜 / 窗口玻璃测量。
多层测量能力：精准解析临时键合晶圆各层厚度，适配复杂厚膜结构。
高稳定性：专利算法抑制振动与温漂，数据重复性强，适配严苛产线。
紧凑易集成：主机小巧、探头分体，适配狭小空间，支持离线 / 在线双场景。
四、应用场景
半导体晶圆：200/300mm 厚硅晶圆、化合物晶圆、TSV 硅层测量。
制程监控：背面研磨（BG）、CMP、蚀刻、临时键合制程实时监控。
厚膜检测：晶圆级超厚树脂层、保护膜、粘接胶层厚度测量。
离线质检：实验室抽样、工艺验证、厚度分布 Mapping（选配 XY 平台）。
特殊基板：玻璃基板、陶瓷基板等厚规格基材减薄制程监控。