【高斯摩】HAMAMATSU滨松 平板传感器C16401SK-51

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 平板传感器C16401SK-51

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 平板传感器C16401SK-51

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 C16401SK-51 CMOS 型 X 射线平板传感器，一体化集成 GOS 闪烁体与光纤板，感光区域 140.0×122.8 mm，内置 1272×1104 像素面阵，自带读出控制板，千兆网口数字输出，专门用于二维面成像、锥束 CT、电池检测等工业 X 射线探伤。

核心参数

• 有效像素：1272 × 1104（1×1 模式）；636 × 552（2×2 合并模式）

• 单像素尺寸：100 μm × 100 μm（1×1）；200 μm × 200 μm（2×2）

• 内置闪烁体：GOS（钆氧硫化物）

• 极限管电压：160 kV

• 典型空间分辨率：4.5 lp/mm

• 动态范围：约 1900

• 帧速率：21 fps（1×1 全幅读取）

• 输出：16bit 数字信号，Gigabit 以太网

• 感光面积：140.0 mm × 122.8 mm

• 工作温度：0℃～+40℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+60℃

产品特点

1. 一体封装 GOS 闪烁层，无潮解、余辉小，长期成像稳定性优于 CsI 闪烁平板

2. 两种读出模式可切换：高分辨 1×1 模式 / 高信噪比 2×2 合并模式

3. 低噪声 CMOS 面阵，带 CDS 相关双采样电路，抑制读出噪声

4. 集成控制主板，直接网口输出，无需额外前端放大采集板，集成方便

5. 视野大，适合锂电池、复合材料、铸件大面积二维探伤、锥束 CT 重建

6. 和前面 S11212/S12362 线阵二极管区分：C16401SK-51 是二维面阵平板，一次性获取整张图像，不是线扫描

应用场景

锂电池内部缺陷检测、复合材料粘接探伤、铸件 X 射线数字成像、锥束 CT 检测、工业无损检测、科研射线成像、零部件内部异物检测。

使用注意事项

1. 内置 GOS 闪烁体，不可打磨、剥离闪烁层

2. 光纤入射窗口禁止硬物撞击、刮擦、强溶剂接触

3. 控制板属于精密电子部件，使用环境要求控温、除湿

4. 支持最高 160kV X 射线，不适合高能 γ 射线探测

5. 千兆网传输，布线建议使用工业屏蔽网线，避免干扰