【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12858-422

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12858-422

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12858-422

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12858-422 16 通道背照式硅光电二极管阵列，窄基板封装，出厂预搭载厚型 CsI (Tl) 闪烁体，单像元尺寸 0.77×2.5 mm，像元间距 1.17 mm，属于高分辨率 S12858 系列，厚 CsI (Tl) 对低能 X 射线吸收强，多用于双能成像上层探测单元，加宽基板版本 S12859-422 用于双层堆叠探头。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：CsI (Tl)（厚款）

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大反向电压：10 V

• 最大暗电流：30 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6 μs

• 典型端子电容：35 pF

• 单像元尺寸：0.77 mm × 2.5 mm

• 像元间距：1.17 mm

• 基板尺寸：19.0 mm × 10.2 mm

• 工作温度：-10℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+70℃

产品特点

1. 窄长条小间距像元，空间分辨率高，适合精细线扫描成像

2. 背照结构，感光面无键合引线，耦合闪烁晶体时无遮挡，光收集效率高

3. 厚 CsI (Tl) 闪烁层，低能 X 射线吸收能力优异，用作双能上层探测

4. 低暗电流，各通道信号均匀，成像噪声稳定

5. 系列区分：S12858-021 无闪烁体；S12858-122 带 GOS；S12858-324 薄 CsI (Tl)；S12858-422 厚 CsI (Tl)

6. 和 S12859-422 对比：光电参数一致；S12858 为窄基板；S12859 基板加宽 19.0×18.0 mm，方便双层堆叠装配

7. 经典双能搭配：上层 S12858-422，下层 S12858-324

应用场景

高分辨线阵 X 射线探测、安检双能 X 射线探测器、工业 CT 线扫描探头、食品在线异物检测、射线位置灵敏探测。

使用注意事项

1. CsI (Tl) 闪烁晶体极易潮解，不可破坏表层密封保护层

2. 闪烁表层禁止硬物刮擦、有机溶剂接触

3. 反向偏压不可超过 10V，不可和 70V 规格 PIN 管共用驱动电路

4. 暗电流随温度上升变大，高精度成像建议稳定温控

5. 不适合深紫外检测场景