【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-421

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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-421

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12363-421 16 通道背照式硅光电二极管阵列，加宽基板封装，基板尺寸 40.4×20.0 mm，出厂预搭载厚型 CsI (Tl) 闪烁体，单像元尺寸 2.2×2.7 mm，像元间距 2.5 mm，是 S12363 系列里低能 X 射线探测型号，常用在双能成像上层。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：CsI (Tl)（厚款）

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大暗电流：50 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：8 μs

• 典型端子电容：70 pF

• 单像元尺寸：2.2 mm × 2.7 mm

• 像元间距：2.5 mm

• 基板尺寸：40.4 mm × 20.0 mm

• 工作温度：-10℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+70℃

产品特点

1. 背照式结构，感光面无键合引线，光收集效率高，通道均匀性好

2. 厚 CsI (Tl) 闪烁层，对低能 X 射线吸收效率高，适合双能上层探测

3. 加宽基板，双层堆叠装配固定方便，适配双能探头量产

4. 可多片横向拼接，延长线阵总长，实现长线扫描

5. 系列对比：S12363-021 无闪烁体；S12363-121 带 GOS；S12363-321 薄 CsI (Tl)；S12363-421 厚 CsI (Tl)

6. 和 S12362-421 对比：光电、像元参数一致；S12362 基板 40.4×10.2 mm；S12363 基板加宽，适合双层堆叠

7. 经典双能搭配：上层 S12363-421，下层 S12363-121 / S12363-321

应用场景

双能 X 射线安检探测、工业 X 射线线扫描无损检测、食品在线异物检测、射线成像线阵探头、厚工件探伤检测。

使用注意事项

1. CsI (Tl) 闪烁晶体极易潮解，严禁破坏表面密封保护层

2. 闪烁表层禁止硬物刮擦、有机溶剂接触

3. 反向偏压不可超过 10V，防止器件损坏

4. 暗电流随温度上升变大，高精度成像建议稳定温控

5. 不适合深紫外检测场景