【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-321

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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-321

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12363-321 16 通道背照式硅光电二极管阵列，加宽基板封装，基板尺寸 40.4×20.0 mm，出厂预搭载薄型 CsI (Tl) 闪烁体，单像元尺寸 2.2×2.7 mm，像元间距 2.5 mm，多用于双层双能成像下层高能 X 射线探测。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 内置闪烁体：CsI (Tl)（薄款）

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大暗电流：50 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：6.5 μs

• 典型端子电容：75 pF

• 单像元尺寸：2.2 mm × 2.7 mm

• 像元间距：2.5 mm

• 基板尺寸：40.4 mm × 20.0 mm

• 工作温度：-10℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+70℃

产品特点

1. 背照式结构，感光面无引线遮挡，光收集效率高

2. 薄 CsI (Tl) 闪烁层，高能 X 射线穿透吸收性能好，适合双能下层探测

3. 加宽基板，双层堆叠组装固定方便，适合双能探头量产

4. 通道均匀性优良，成像稳定，噪声低

5. 系列对比：S12363-021 无闪烁体；S12363-121 带 GOS；S12363-321 薄 CsI (Tl)；S12363-421 厚 CsI (Tl)

6. 和 S12362-321 对比：光电参数、像元规格一致；S12362 基板 40.4×10.2 mm；S12363 基板加宽为 40.4×20.0 mm，便于双层堆叠装配

应用场景

双能 X 射线安检探测、工业 X 射线线扫描无损检测、厚工件射线探伤、食品在线异物检测、射线成像线阵探头。

使用注意事项

1. CsI (Tl) 闪烁晶体容易潮解，不可破坏表面密封保护层

2. 闪烁表层禁止硬物刮擦、有机溶剂接触

3. 反向偏压不可超过 10V，防止器件损坏

4. 暗电流随温度上升变大，高精度成像建议稳定温控

5. 不适合深紫外检测场景