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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S11865-256

2026-10-23 10:36:29 admin 0

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S11865-256

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 带放大器的光电二极管阵列S11865-256


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11865-256 带放大器的光电二极管阵列,背照式 256 通道线性阵列,不含闪烁体,内置 CMOS 信号处理 ASIC,集成电荷放大器、移位寄存器、钳位与保持电路,5V 单电源供电,石英窗口支持 200nm 深紫外至 1000nm 宽波段探测,像元间距更小、通道数量更多,适合精细光谱解析、高分辨率 X 光线扫描成像,多片可拼接构成长线阵。

核心参数

  • 通道数:256 通道

  • 单通道受光面积:0.3 × 0.6 mm

  • 像元间距:0.2 mm

  • 有效感光总长:51.2 × 0.6 mm

  • 光谱响应范围:200~1000 nm

  • 峰值响应波长:720 nm

  • 供电电压:5 V

  • 最大行速率:7568 行 / 秒

  • 反馈电容:0.5 pF

  • 结构:内置放大 ASIC,不含闪烁体

  • 工作温度:-20℃~+60℃(无结露)

  • 储存温度:-55℃~+80℃

  • 冷却方式:非制冷

产品特点

  1. 一体化集成时序发生器、电荷放大、信号保持电路,外部无需多路运放,简化整机硬件设计

  2. 石英窗口,200nm 深紫外具备良好响应,紫外、可见光、近红外光谱检测通用

  3. 0.2mm 超细像元间距,256 通道,相比 128 通道型号空间分辨率翻倍,适合精细成像、精细光谱采集

  4. 噪声控制优秀,动态范围宽,X 光成像时对比度表现干净稳定

  5. 背照结构,感光面无键合引线,贴合闪烁片时不易损伤芯片;多只首尾串联可拼接超长线阵

  6. 同系列配套型号:S11865-64、S11865-128;预耦合 GOS 闪烁体版本 S11865-256G,开箱直接用于 X 光探测

应用场景

高分辨率 X 光安检设备、工业高精度 X 光无损探伤、管道腐蚀精细检测、紫外 - 可见光光谱仪、动态光束轮廓分析、多通道光度监测、物料杂质与厚度检测模组等。

使用注意事项

  1. 供电严格使用 5V,电压异常会损坏内置 ASIC 芯片

  2. 本型号不带闪烁体,用于 X 射线检测需要自行选配 CsI (Tl)、GOS 闪烁片

  3. 驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号,主控时序不可错乱

  4. PCB 布线区分数字时钟域与模拟通道,独立走线隔离,降低通道串扰

  5. 芯片脆弱,贴合闪烁体时控制压力,避免芯片碎裂;装配全程防静电

  6. 使用环境严禁结露,水汽会造成芯片、粘接层老化劣化

  7. 和 S11865-128 对比:通道数量翻倍、像元间距更小,分辨率更高,其余电路与时序架构一致


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