产品概述

核心参数

• 通道数：128 通道

• 单通道受光面积：0.3 × 0.6 mm

• 像元间距：0.4 mm

• 有效感光总长：51.2 × 0.6 mm

• 闪烁体类型：GOS (Tb)，厚度 300μm

• 适用 X 光能量：30 keV～100 keV

• 光谱响应范围（芯片）：200～1000 nm

• 峰值响应波长：720 nm

• 供电电压：5 V

• 最大行速率：7568 行 / 秒

• 反馈电容：0.5 pF

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 预耦合 GOS 闪烁体，开箱即可直接用于 X 射线探测，省去闪烁体贴合工序；余辉低，扫描拖影控制良好

2. 一体化集成时序发生器、电荷放大、信号保持电路，外围驱动电路简单，大幅降低整机开发难度

3. 0.4mm 精细像元间距，128 通道，空间分辨率高，成像画面细腻均匀

4. 零偏工作模式，噪声控制优秀，动态范围宽，适合管道腐蚀检测、探伤等低对比度成像场景

5. 背照结构，入射面无键合引线，不易损伤，多只串联拼接可实现超长线阵

6. 同系列配套型号：S11865-128（无闪烁体）、S11865-64G、S11865-256G

应用场景

使用注意事项

1. 供电严格采用 5V，电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片

2. GOS 陶瓷闪烁层质地偏脆，装配固定避免重压、撞击，防止闪烁层开裂脱落

3. 闪烁体虽防潮性能优于 CsI (Tl)，整机仍建议密封，禁止结露环境

4. 需要匹配规格书时序信号（CLK、RESET、Trig），主控时序不能错乱

5. PCB 布线做好数字时钟与模拟信号隔离，降低通道串扰

6. 器件静电敏感，装配全程落实防静电防护

7. 和 S11865-128 对比：G 版本自带 GOS 闪烁体，专门用于 X 光探测；无 G 版本适合紫外可见光光谱检测