【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-321
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-321

产品概述
核心参数
通道数:16 通道
单通道受光面积:1.175 × 2.0 mm
像元间距:1.575 mm
基板尺寸:25.4 × 10.2 mm
闪烁体类型:GOS 陶瓷
闪烁发光峰值:512 nm
光谱响应范围(芯片):340~1100 nm
峰值响应波长:920 nm
典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)
最大暗电流:30 pA(VR=10mV,单通道)
典型上升时间:6.5 μs
典型端子电容:40 pF(VR=0V,单通道)
最大反向电压:10 V
工作温度:-10℃~+60℃(无结露)
储存温度:-20℃~+70℃
冷却方式:非制冷
产品特点
预耦合 GOS 陶瓷闪烁体,余辉极低,高速扫描拖影抑制效果优异,适合高速在线检测
背照结构,入射面无引线焊盘,贴合闪烁层时不易损伤芯片,多片串联拼接可拓展扫描长度
窄薄细长基板,对比 S11212 系列占用空间更小,适合紧凑型 X 光设备结构设计
成像均匀性好,GOS 陶瓷防潮性能优于 CsI (Tl),降低整机密封压力
常搭配 S11212-422 作为下层接收端,实现双能 X 光物质识别
同系列配套型号:S11299-021(无闪烁体)、S11299-121(CsI (Tl))、S11299-421(荧光片)
应用场景
使用注意事项
最大反向电压 10V,严禁超压,防止通道芯片损坏
GOS 陶瓷质地偏脆,安装固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂
PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰
器件静电敏感,装配全程落实防静电防护
虽然 GOS 抗潮优于 CsI (Tl),长期使用仍建议整机密封,避免高湿环境
和 S11299-121 对比:321 余辉更低、均匀性更好;121X 光吸收效率更高,适合低速低剂量场景