HAMAMATSU滨松

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-321

2026-10-23 10:20:19 admin 0

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-321

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S11299-321


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S11299-321 硅光电二极管阵列,背照式 16 通道线性阵列,细长窄基板款式,出厂预耦合 GOS 陶瓷闪烁体,属于 S11299 系列 X 光检测专用传感器,余辉极低,适合高速流水线 X 光扫描成像,基板小巧轻薄,适配空间紧凑的检测设备,感光面无键合引线,支持多片拼接组成长线阵,多用于双能成像下层高能探测。

核心参数

  • 通道数:16 通道

  • 单通道受光面积:1.175 × 2.0 mm

  • 像元间距:1.575 mm

  • 基板尺寸:25.4 × 10.2 mm

  • 闪烁体类型:GOS 陶瓷

  • 闪烁发光峰值:512 nm

  • 光谱响应范围(芯片):340~1100 nm

  • 峰值响应波长:920 nm

  • 典型灵敏度:0.61 A/W(920nm)

  • 最大暗电流:30 pA(VR=10mV,单通道)

  • 典型上升时间:6.5 μs

  • 典型端子电容:40 pF(VR=0V,单通道)

  • 最大反向电压:10 V

  • 工作温度:-10℃~+60℃(无结露)

  • 储存温度:-20℃~+70℃

  • 冷却方式:非制冷

产品特点

  1. 预耦合 GOS 陶瓷闪烁体,余辉极低,高速扫描拖影抑制效果优异,适合高速在线检测

  2. 背照结构,入射面无引线焊盘,贴合闪烁层时不易损伤芯片,多片串联拼接可拓展扫描长度

  3. 窄薄细长基板,对比 S11212 系列占用空间更小,适合紧凑型 X 光设备结构设计

  4. 成像均匀性好,GOS 陶瓷防潮性能优于 CsI (Tl),降低整机密封压力

  5. 常搭配 S11212-422 作为下层接收端,实现双能 X 光物质识别

  6. 同系列配套型号:S11299-021(无闪烁体)、S11299-121(CsI (Tl))、S11299-421(荧光片)

应用场景

高速 X 光安检设备、紧凑型工业 X 光在线探伤、流水线物料杂质检测、高速线扫描 X 光成像、厚度检测、双能 X 光识别模组等。

使用注意事项

  1. 最大反向电压 10V,严禁超压,防止通道芯片损坏

  2. GOS 陶瓷质地偏脆,安装固定避免重压、撞击,防止闪烁层开裂

  3. PCB 布线时分通道独立走线,做好隔离,降低通道串扰

  4. 器件静电敏感,装配全程落实防静电防护

  5. 虽然 GOS 抗潮优于 CsI (Tl),长期使用仍建议整机密封,避免高湿环境

  6. 和 S11299-121 对比:321 余辉更低、均匀性更好;121X 光吸收效率更高,适合低速低剂量场景


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