做半导体的朋友都知道，一块完整的晶圆要变成一颗颗能用于封装的芯片，

“划片”是绕不开的关键环节。简单说，划片就是沿着晶圆上的划片槽，

把整片晶圆分割成单颗晶粒的过程。而这个过程里，最主流的两种技术——激光划片和刀片划片，

到底各有什么门道？今天就用大白话把这份晶圆划片工艺指南讲透！

先搞懂基础：划片到底在做什么？

晶圆划片（Wafer Saw）的核心目标很明确：把承载着无数芯片雏形的晶圆，精准、无损地分割成独立的晶粒（Die）。

整个过程就像给一大块蛋糕切小块，只不过要求极端苛刻——不能有一点崩裂、残留，否则芯片就直接报废。

目前行业里主要有两种“切法”：一种是用激光当“刀”，靠高能量精准加工；另一种是用镶嵌金刚石的刀轮高速旋转切割。

两种方法各有适配场景，没有绝对的优劣，关键看晶圆材料、厚度和精度要求。

划片加工后，激光加工或刀片加工

激光划片：高精密场景的“隐形手术刀”

激光划片靠的是人造激光的高能量、高平行度特性，通过“升华加工”的方式——也就是把晶圆材料瞬间变成气态，从而完成切割，

过程中还会用保护液防止粉尘残留。这种工艺最适合对付“难搞”的材料，比如低介电常数（Low-k）材料的晶圆。

例：DISCO DFL7161

要知道，Low-k材料是提升芯片频率的关键，但特别脆，用传统刀片切很容易崩裂、掉渣。这时候激光就能发挥优势：

先用车载激光在表面开槽，去掉脆弱的Low-k层，再用刀片切衬底，完美解决难题。

不同波长的激光用途也不一样：1064nm的红外激光适合穿透隐切，532nm的绿光用于打标，

355nm的紫外激光则能做超精细开槽，

毕竟大多数材料对紫外光吸收率高，光斑又小。

不过激光划片的效果，全靠参数把控：功率太高容易导致材料剥离，太低又切不动；切割速度慢了效率低，快了深度又不够；

聚焦高度没调好，能量密度不均，也会影响切割质量。

刀片划片：量产场景的“高效主力军”

刀片划片就像用超级高速的“砂轮”切晶圆——刀轮是镶嵌金刚石颗粒的，转速能达到30K~60K转/分钟，

切割时还要用大量带表面活性剂的冷却水，一方面冷却刀刃，另一方面冲掉切割碎屑，防止污染。

这种工艺的核心是“刀”，划片刀主要由结合剂和金刚石砂粒组成。

砂粒的大小、集中度，结合剂的类型，直接影响切割效果：砂粒越细，

切割越精密但寿命短；集中度越高，切割质量越好但成本也高；结合剂则分电铸、

金属、树脂三种，分别适配硅片、陶瓷、玻璃等不同材料。

刀片划片还有两种主流模式：双刀同时切割（Dual cut），效率更高；分步切割（Step cut），

先开槽再切穿，品质更稳定。不过新刀装上后不能直接用，

必须先磨刀修整成正圆，再预切割让金刚石颗粒充分暴露，否则很容易出现切割偏差。

主流工艺流程：按需求选对“路线”

除了两种核心切割方式，行业还有三种主流的划片工艺流程，适配不同的晶圆需求：

1. DAG工艺（切割后减薄）：先贴减薄膜减薄晶圆，再剥离薄膜贴切割膜，最后全切分割。

传统成熟，但对薄片晶圆容易出现背崩问题；

2. DBG工艺（减薄前切割）：先半切晶圆，再减薄、贴切割膜分割。能杜绝背崩，芯片抗折强度更高，适合薄片加工；

3. SDBG工艺（隐形切割后减薄）：用红外激光在晶圆内部形成改质层，减薄后通过扩片让芯片分离。

全程无水加工，速度快、无崩边，特别适合MEMS、超薄存储晶圆等精密场景。

总结：激光和刀片怎么选？

简单说，追求精密、应对特殊材料（比如Low-k、超薄晶圆），选激光划片；追求量产效率、

加工常规材料（比如普通硅片），选刀片划片。

而具体用哪种工艺流程，核心看晶圆厚度和品质要求——薄片、高精度优先DBG或SDBG，传统场景DAG就足够。

晶圆划片看似是“切割”这样的简单动作，实则是半导体制造中“差之毫厘谬以千里”的关键环节。

选对工艺、调好参数，才能从源头保证芯片的良率。