在半导体行业卷向“更小节点、更薄晶圆”的今天，切割工艺早已成为制约产能和良率的关键环节——传统刀片

切割要么容易让Low-k晶圆分层、薄晶圆碎裂，

要么产生大量碎屑污染芯片，而硬脆的化合物半导体、陶瓷材料更是“难啃的骨头”。

深入研究DISCO的激光切割技术文档后，发现这家企业早就用20年技术沉淀，打造出了一套覆盖全场景的“激光切割解决方案”，

从工艺到设备再到定制化服务，每一处都戳中行业痛点！

一、两种核心工艺：消融切割VS隐形切割，按需匹配不同需求

DISCO的激光切割之所以能适配多种场景，核心在于两种差异化工艺，各有专攻：

1. 消融切割（Ablation）：硬脆材料的“精准蒸发术”

简单说就是用短脉冲激光高强度照射工件，让材料直接汽化——听起来暴力，

但实际对工件几乎无热损伤，而且是非接触加工，冲击力极低。

• 适配场景：超薄硅晶圆（25-50μm）、GaAs、SiC等化合物半导体，还有带背面金属膜的晶圆、异形芯片

• 核心优势：能切出小于10μm的超细切割道，进料速度最高可达600mm/s，而且不会产生金属毛刺、芯片崩边

• 配套设备：DFL7160/7161/7260、DAL7020等，其中DFL7260还能装两个不同激光头，一次完成Low-k开槽+硅切割，效率直接拉满

2. 隐形切割（Stealth Dicing）：薄晶圆的“无损分离术”

这招更巧妙——激光不照射表面，而是聚焦在材料内部形成“改性层”，之后用扩膜机轻轻一拉，芯片就完整分离了。

• 适配场景：100μm以下薄晶圆、需要减少切割损耗的窄切割道晶圆

• 核心优势：切割损耗几乎为0，无水加工不用清洗，芯片强度比传统刀片切割高90%（50μm硅晶圆实测）

• 配套设备：DFL7340（适配200mm晶圆）、DFL7360（适配300mm晶圆），

• 联合滨松光子研发的新引擎SDE03，把400μm厚晶圆的切割次数从12次降到5次，产能大幅提升

  
  

两种工艺还能搭配“Hasen切割”（激光脉冲开关控制），轻松搞定异形芯片、多尺寸芯片同板切割，比传统方法灵活太多！

二、直击行业痛点：这些难题，激光切割全搞定

半导体切割的几大“老大难”，DISCO都给出了针对性解决方案：

1. Low-k晶圆分层难题

随着芯片节点迈向11.9nm，Low-k材料的介电常数已经低至1.7-1.9，机械强度越来越差，传统刀片切割很容易分层。

DISCO的解法是：先激光开槽（进料速度300mm/s），再用刀片半切，既不损伤Low-k层，又能避免机械负载过大。

2. 薄晶圆/DAF晶圆切割+拾取难题

薄至25μm的晶圆，切割后容易碎裂、拾取困难？隐形切割+DDS2300扩膜机组合拳：0℃冷却扩膜让DAF膜干净分离，

再加热收缩去除胶带松弛，芯片间距稳定，拾取良率和刀片切割持平，还不用额外蚀刻。

3. 碎屑污染问题

消融切割会产生碎屑？配套的HogoMax水溶性防护膜安排上！自动涂覆+清洗，

碎屑不会粘在切割道，完美适配对污染敏感的半导体加工。

4. 硬脆材料加工慢

陶瓷、蓝宝石、SiC这些材料，刀片切割又慢又容易崩边。激光切割直接实现“高速+高质量”：

300μm厚SiC晶圆100mm/s一次切透，

氧化铝陶瓷50-300mm/s加工，无崩边、无毛刺。

三、20年技术沉淀：从设备到定制，全链条保障

DISCO的激光切割技术能领跑行业，靠的是实打实的硬实力：

• 研发早：2001年就开始布局，累计销量超300台（截至2010年7月），每年测试30+激光头，适配不同应用场景

• 设备全：从600mm宽的小型机DAL7020（适配6英寸晶圆），到高端300mm晶圆机DFL7360，从单一工艺到多激光头复合机，覆盖从入门到高端的全需求

• 定制强：自主研发光学系统，能根据客户的晶圆材料、厚度、芯片尺寸，匹配最优激光头和工艺参数，还能搭配防护膜、扩膜机等周边设备

对比传统的金刚石划片，激光切割不仅摆脱了“靠操作员技术”的不稳定问题，还把加工速度、

良率拉满，运行成本也大幅降低——在LED车灯、

手机背光、通用照明、MEMS等领域，已经成为主流选择。

结尾：半导体切割的“未来感”，藏在这些细节里

随着芯片越来越小、材料越来越特殊，切割工艺的“精准度、灵活性、低损伤”需求只会越来越高。

DISCO的激光切割技术，不仅解决了当下的行业痛点，

更跟着技术 roadmap 持续迭代，适配更低k值、更薄晶圆的加工需求。

如果你在做半导体、LED、陶瓷加工，遇到了切割难题，不妨看看这套“激光解决方案”——毕竟，

能兼顾产能、良率和成本的技术，才是真·行业刚需～