你有没有想过，手机、电脑里那些越来越小、性能却越来越强的芯片，背后藏着多少精密加工的门道？其中，

超薄晶圆的加工就是关键一环——更薄的晶圆能实现更小的封装尺寸、

更好的散热和电气性能，但厚度一旦低于100um，晶圆就会变得像“软纸片”一样，翘曲、破片风险直线上升，后续加工根本无从下手。

今天就来拆解一个解决超薄晶圆加工难题的组合拳：TAIKO工艺+激光切环技术，看看工程师们是如何用巧思攻克行业痛点的～

一、超薄晶圆的“甜蜜烦恼”：薄了好用，加工难搞

在半导体制造中，晶圆减薄是提升芯片性能的重要步骤。常规的研磨方式只能处理750um-120um厚度的晶圆，

可当需求升级到100um以下的超薄规格时，问题就来了：

超薄晶圆质地柔软、弹性大，不仅容易翘曲变形，在传送和加工过程中稍受力就会破裂，给后续的电性测试、

晶粒切割带来巨大挑战。

怎么才能既让晶圆“变薄”，又能保持足够的强度，避免加工过程中出岔子？

二、TAIKO工艺：给晶圆加个“防护边”，解决翘曲难题

针对这个痛点，迪思科科技推出了一种创新的晶圆背面研磨技术——TAIKO工艺。

它的核心思路特别巧妙：研磨时不把整个晶圆磨薄，

而是保留晶圆外围约3mm的边缘部分，只对中间区域进行研磨薄型化。

这个3mm的“防护边”简直是超薄晶圆的“定心丸”：一方面大幅减少了晶圆的翘曲，让厚度低于100um的超薄晶圆依然保持足够强度；

另一方面，边缘不用受力，避免了研磨时容易出现的边缘缺角问题，还降低了后续工序对机台传送的要求，减少了破片风险。

但凡事有利有弊，这个“防护边”也带来了新的麻烦：边缘3mm的圆环让晶圆背面不再是平面，

常规的电性测试机台无法直接接触测试盘，

晶粒切割机也没法正常切割——相当于给晶圆加了个“保护罩”，却把后续加工的“入口”挡住了。

三、激光切环：低成本破解TAIKO的“尾巴难题”

为了解决TAIKO晶圆的边缘圆环问题，迪思科原本配套了专用的切割机台，但价格昂贵，

让很多企业望而却步。于是工程师们另辟蹊径，

研发出了更具性价比的解决方案——激光切环技术。

和传统的刀片切割相比，激光切环有个突出优势：不需要在晶圆正面贴蓝膜或UV膜。

刀片切割必须贴膜才能避免切伤切割盘，还得后续紫外光照射去膜，

工序繁琐；而激光切环直接让晶圆正面朝下放置即可加工，省了贴膜、去膜的步骤，大大提升了效率，也方便后续工序衔接。

四、核心技术揭秘：激光切环怎么做到又快又好？

激光切环看似简单，实则藏着不少精密设计，尤其是解决了三个关键问题：

1. 切割盘设计：避免金属粘连，防止裂片

激光切割时，晶圆正面的金属会因高温轻微熔化，如果直接接触切割盘，很容易粘在一起，

取晶圆时就会导致裂片。工程师们专门设计了带“环形凹槽”

的真空吸盘切割盘：凹槽深宽约4x4mm，激光切割的位置刚好落在凹槽中间，

让切割区域不与切割盘直接接触，从根源上避免了粘连问题。

而且凹槽位置是精准定制的：6英寸TAIKO晶圆内圆直径约139mm，8英寸约195mm，

切割盘的凹槽会根据不同规格精准匹配，确保切割位置不偏差。

2. 工艺参数：精准调控，兼顾效率与质量

激光切环的参数设置直接影响加工效果：

• 切割速率：最优速率是80mm/s，如果超过120mm/s，光斑叠加减少，单位面积受热不足，切割边缘会变得粗糙、毛刺严重，甚至切不透；

• 切割深度与圈数：单次切割深度约25um，切缝宽10-15um，圈数根据晶圆厚度调整——50-60um厚的晶圆切3圈即可，120um厚的则需要6圈；

• 定位方式：先在晶圆内圆边标记3个点，三点确定一个圆，激光沿着这个轨迹切割，确保切割精度。

3. 圆环分离：温柔操作，避免碰裂

激光切透后，边缘圆环和晶圆还会连在一起，直接硬掰会导致晶圆破裂。

工程师们用专用小托件轻轻托起切割下来的圆环并取走，再取出晶圆，

整个过程平稳无冲击，完美避免了碰裂风险。

五、总结：简单高效的超薄晶圆加工组合拳

TAIKO工艺解决了超薄晶圆“薄而不脆”的核心问题，让100um以下的晶圆加工成为可能；而激光切环技术则用低成本、

简化工序的方式，破解了TAIKO工艺带来的边缘圆环难题。这套组合拳的优势特别明显：不用依赖昂贵的专用设备，

工艺步骤简单，切割效果好，

还能避免裂片、粘连等问题，大大降低了超薄晶圆的加工成本和风险，为半导体行业的小型化、高性能发展提供了有力支撑。