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  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2600

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2600【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2600一、核心定位专为2.6 米级超宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计,替代传统 2–3 根离子棒拼接方案,以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值,适配半导体、超宽薄膜、大型精密制造等行业超大宽工位防静电需求。二、核心技术:HDC‑AC 高频放电,长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2350

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2350【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2350一、核心定位专为2.3 米级超宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计,替代传统 2–3 根离子棒拼接方案,以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值,适配半导体、超宽薄膜、大型精密制造等行业的超大宽工位防静电需求。二、核心技术:HDC‑AC 高频放电,长效稳定搭载 SSD 自研HDC

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2100

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2100【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX2100一、核心定位专为超大宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计,替代传统多根离子棒拼接方案,以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值,适配电子半导体、薄膜卷材、精密制造等行业的超宽工位防静电需求。二、核心技术:HDC‑AC 高频放电,长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑AC 高频间歇放电

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1850

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1850【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1850一、核心定位专为超大宽幅、大面积、高洁净度工业场景设计,替代传统多根离子棒拼接方案,以一根通覆、高效稳定、低维护为核心价值,适配电子半导体、薄膜卷材、精密制造等行业的超宽工位防静电需求。二、核心技术:HDC‑AC 高频放电,长效稳定搭载 SSD 自研HDC‑AC 高频间歇放电

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1600

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1600【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1600一、核心定位CABX1600 面向1.6 米级超宽工位,解决传统多根离子棒拼接带来的静电不均、安装复杂、维护成本高的痛点,以 “一根通覆、高效稳定” 为核心价值,适配电子、薄膜、印刷、精密制造等大面积防静电场景。二、核心技术:HDC‑AC 高频放电,长效免维护搭载 SSD 自

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1350

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1350【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1350一、核心定位作为 CABX 系列的长尺寸旗舰款,CABX1350 主打 “单根全覆盖、高速稳中和、长期免维护”,解决超宽产线静电不均、多根拼接繁琐、频繁停机养护等痛点,适配 1.3 米级宽幅工位,广泛应用于电子、薄膜、印刷、精密制造等大面积防静电场景。二、核心技术:HDC‑A

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1100

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1100【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX1100一、定位与核心价值作为 CABX 系列的长尺寸主力款,CABX1100 主打 “一根覆盖、高速中和、长期稳定”,解决宽幅产线静电不均、多根拼接繁琐、维护频繁等痛点,适配 1 米级宽幅工位,广泛用于电子、薄膜、印刷、精密制造等大面积防静电场景。二、核心技术:HDC‑AC 高频放

    2026-07-02 admin 0

  • 【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX850

    【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX850【高斯摩】SSD西西蒂 CABX 条形离子器 CABX850一、核心性能(高效・稳定・均衡)除电覆盖:有效长度 850mm,机身超薄 29mm、高 92mm,适配狭长空间与多根拼接场景。除电速度:100mm 处≤0.2s;300mm 处≤0.3s(HW 高流量)/0.4s(LW 低流量);500mm 处≤0.6s(HW)/0.8s(LW)

    2026-07-02 admin 0

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