OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/300
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/300OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/300一、基础信息测量原理：分光干涉法 + FFT 解析算法光源：Class 3B 半导体激光检测方式：单点测量，可搭配扫描平台完成全域厚度测绘主机尺寸：123×224×128mm供电方式：DC24V，另配交流电源适配器通讯接口：LAN、I/O 触发接口探头工作距离：可选 50mm
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/300
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/300
一、基础信息
测量原理：分光干涉法 + FFT 解析算法光源：Class 3B 半导体激光检测方式：单点测量，可搭配扫描平台完成全域厚度测绘主机尺寸：123×224×128mm供电方式：DC24V，另配交流电源适配器通讯接口：LAN、I/O 触发接口探头工作距离：可选 50mm、80mm、120mm、150mm、200mm测量光斑：直径 φ20–27μm
二、技术参数
硅晶圆测量范围：10μm~775μm树脂 / 胶层测量范围：20μm~1500μm测量精度：≤±0.1%重复精度：≤±0.01%采样速率：5kHz，单次采样用时 200μs可解析层数：最多 5 层复合结构适配晶圆规格：200mm、300mm
三、产品特点
量程覆盖中厚区间，相比同系列基础款，可满足更厚硅晶圆与厚树脂涂层检测需求。
非接触式检测，不会划伤、污染晶圆，适用于各类脆弱半导体基材。
采样速度快，可匹配背面研磨、化学机械抛光等高速制程，实现实时管控。
探头可选多种工作距离，安装灵活，可穿透保护膜、窗口玻璃完成内部测量。
支持五层结构同步测厚，可精准解析临时键合晶圆的各层厚度数据。
算法可抵消震动、温度变化带来的干扰，长期运行数据稳定。
机身小巧，分体式探头设计，既能集成在自动化产线，也可用于实验室抽检。
四、使用规范
设备安装环境保持洁净、干燥，远离强震动、强电磁干扰与高温区域。
光纤及探头轻拿轻放，禁止过度弯折、挤压光纤，保护光学端面。
检测前清理晶圆表面杂质，运行过程中不要触碰探头与运动机构。
定期对光学部件进行清洁与校准，保障测量精度。
设备参数、报警阈值仅由专业人员调整，禁止随意改动。
长期停机时做好防尘防护，断开电源收纳配件。
五、使用方法
连接主机、探头、电源及通讯线路，通电后启动设备与配套软件，完成自检。
根据被测样品材质、厚度及层数，设置对应测量参数。
将晶圆平稳放置在检测工位，对准测量点位。
启动检测，实时读取厚度数据；搭配扫描平台可完成整片晶圆厚度测绘。
检测完成后保存、导出数据，取下样品。
全部作业结束后，依次关闭软件与设备电源，做好清洁防尘。
六、应用场景
适用于 200mm、300mm 硅晶圆、化合物晶圆厚度检测，可应用在背面研磨、化学机械抛光、蚀刻、临时键合等半导体制程；同时可测量晶圆表面厚树脂层、粘接胶、保护膜厚度，用于产线在线监控、实验室工艺验证与成品抽检。