OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/200
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/200OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/200半导体专用非接触式高速测厚仪，针对硅晶圆、临时键合晶圆及厚膜树脂层设计，适配研磨、抛光、CMP 等制程的在线实时监控与离线精密检测，支持多层厚度解析。一、基础信息测量原理：分光干涉法 + 专利 FFT 解析算法光源：半导体光源（激光 Class 3B）检测方式：单点高精度测量
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/200
OTSUKA 大塚电子 分光干涉式晶圆膜厚仪 SF-3/200
半导体专用非接触式高速测厚仪，针对硅晶圆、临时键合晶圆及厚膜树脂层设计，适配研磨、抛光、CMP 等制程的在线实时监控与离线精密检测，支持多层厚度解析。
一、基础信息
测量原理：分光干涉法 + 专利 FFT 解析算法
光源：半导体光源（激光 Class 3B）
检测方式：单点高精度测量，可配扫描平台做分布制图
主机尺寸：123×224×128mm
供电：DC24V（AC 电源适配器另购）
通讯：LAN（TCP/IP）、I/O 触发
探头工作距离（WD）：50/80/120/150/200mm（SF-3/200 标配 200mm）
二、核心技术参数（SF-3/200）
硅晶圆厚度范围：6–400μm
树脂 / 胶层厚度范围：10–1000μm
测量精度：±0.1% 以下
重复精度：≤±0.01%
采样速度：5kHz（200μs / 次）
测量光斑直径：φ20–27μm
多层解析：最多5 层厚度同时测量
三、关键特点
非接触无损：光学测量无机械接触，避免晶圆损伤与污染。
高速实时监控：5kHz 采样，适配 BG（背面研磨）、CMP 等高速制程闭环控制。
长工作距离：WD200mm，易集成于产线设备，避开机械干涉。
穿透式测量：可穿越保护膜、窗口玻璃等中间层，直接测内部晶圆厚度。
多层测量能力：支持临时键合晶圆（Temporary Bonding）各层厚度独立解析。
高稳定性：专利算法抑制振动与温度漂移，数据重复性极佳。
体积小巧易集成：主机紧凑，探头分体式设计，适配狭小设备空间。
四、应用场景
半导体晶圆：硅晶圆 / 化合物晶圆厚度检测、TSV 硅层测量
制程监控：背面研磨（BG）、化学机械抛光（CMP）、蚀刻、临时键合
厚膜检测：晶圆级树脂层、保护膜、粘接胶层厚度测量
离线质检：实验室抽样检测、工艺验证、厚度分布 Mapping