【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-021

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-021

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12362-021

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12362-021 16 通道背照式硅光电二极管阵列，基板封装、无闪烁体裸感光面，单像元尺寸 2.2×2.7 mm，像元间距 2.5 mm，相比 S11212 系列像元尺寸更大、间距更宽，方便搭配大尺寸闪烁晶体，用于 X 射线线扫描探测。同系列还有 S12362-121、S12362-321、S12362-421 预带闪烁体版本。

核心参数

• 通道数：16 通道

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：920 nm

• 典型灵敏度：0.61 A/W

• 最大暗电流：50 pA（VR=10 mV）

• 典型上升时间：8 μs

• 典型端子电容：70 pF

• 单像元尺寸：2.2 mm × 2.7 mm

• 像元间距：2.5 mm

• 基板尺寸：40.4 mm × 10.2 mm

• 窗口：无闪烁体、无窗口裸片

• 工作温度：-10℃～+60℃（无凝露）

• 存储温度：-20℃～+70℃

产品特点

1. 背照式结构，感光面无键合引线，耦合闪烁晶体时光损耗低

2. 单像元感光面积更大，光收集效率更高，适合厚闪烁体搭配

3. 通道一致性好，可多片拼接，组成长线扫描探头

4. 低暗电流，噪声稳定，成像效果优良

5. 系列对比：S12362-021 无闪烁体；S12362-121 带 GOS；S12362-321 薄 CsI (Tl)；S12362-421 厚 CsI (Tl)

6. 和 S11212 系列对比：S11212 像元 1.175×2.0 mm，间距 1.575 mm；S12362 像元更大、间距 2.5 mm，适合大光斑、高能量 X 射线探测

应用场景

X 射线线扫描探测、工业 CT 无损检测、安检设备射线探头、双能射线成像、食品异物在线检测、高能粒子探测。

使用注意事项

1. 不含闪烁体，探测 X 射线时需要自行装配 CsI (Tl) 或者 GOS 闪烁晶体

2. 裸感光面容易划伤、沾染水汽油污，封装耦合过程做好防护

3. 反向偏压不超过 10V，防止器件损坏

4. 暗电流随温度上升变大，高精度成像建议温控

5. 不适合深紫外检测