【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管S8193
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管S8193
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产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S8193 集成陶瓷闪烁体的硅光电二极管,一体化封装,感光面 5.8×5.8 mm,专为 X 射线监测设计,自带闪烁陶瓷,和 CsI 相比无潮解问题、余辉极低,相比 CWO 闪烁方案 X 射线灵敏度更高。
核心参数
光谱响应范围:190 nm~1000 nm(无闪烁体芯片)
峰值响应波长:720 nm
典型灵敏度:0.5 A/W(峰值波长处)
最大反向电压:5 V
最大暗电流:50 pA(VR=10 mV)
典型端子电容:950 pF(VR=0V,10kHz)
余辉:<0.1 % / 3 ms;<0.01 % / 30 ms
受光面积:5.8 mm × 5.8 mm
封装:陶瓷封装,内置陶瓷闪烁体
工作温度:-10℃~+60℃
存储温度:-20℃~+70℃
产品特点
一体集成陶瓷闪烁体,无需额外搭配闪烁晶体,使用便捷
X 射线灵敏度高,约为 CWO 闪烁探测器的 1.8 倍
余辉远低于 CsI 闪烁晶体,适合快速连续 X 射线监测
陶瓷闪烁材质,不潮解,环境适应性优于碘化铯
暗电流极低,噪声水平优异,适合微弱 X 射线剂量监测
和前面 S2744/S3588 等 PIN 管区分:S8193 自带闪烁体,属于 X 射线监测专用一体化探头
应用场景
X 射线剂量在线监测、X 光机管剂量监控、工业无损检测射线监测、医疗 X 光设备剂量检测、安检 X 射线剂量监测、射线计量仪表。
使用注意事项
最大反向电压仅 5V,不可套用之前 70V 偏压方案,偏压控制严格
内置闪烁陶瓷,窗口避免硬物磕碰划伤
适合 X 射线剂量监测,不适合 γ 高能射线探测
暗电流小,但结电容偏大,不适合超高速脉冲信号采集
远离强溶剂,防止封装和闪烁层受损
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