【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3588-09

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3588-09

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3588-09

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S3588-09 长条型硅 PIN 光电二极管，陶瓷无窗口裸片封装，感光面 30×3 mm，电气参数和 S3588-08 一致，无环氧树脂窗口，适合直接和条状 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体贴合耦合，多用于线阵射线探测模组封装。

核心参数

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：960 nm

• 典型灵敏度：0.66 A/W

• 最大反向电压：100 V

• 最大暗电流：10000 pA（VR=70V）

• 典型截止频率：40 MHz

• 典型结电容：40 pF（VR=70V，1MHz）

• 典型噪声等效功率：4.7×10⁻¹⁴ W/Hz¹ᐟ²

• 受光面积：30 mm × 3 mm

• 窗口：无窗口（裸芯片）

• 封装：陶瓷封装

• 工作温度：-20℃～+60℃

• 存储温度：-20℃～+80℃

产品特点

1. 长条窄型感光面，适配条状闪烁晶体，适合一维线阵射线探测

2. PIN 结构，结电容低、响应速度快，适合高速光信号采集

3. 无窗口裸片设计，消除环氧树脂的光吸收损耗，耦合闪烁体后信号更强

4. 陶瓷基底，稳定性高，能量分辨率表现良好

5. 和 S3588-08 对比：S3588-08 带环氧树脂窗口；S3588-09 无窗口裸片，适合密封耦合封装

应用场景

线阵 X 射线 /γ 射线闪烁探测、工业 CT 线扫描探头、安检长条射线探测器、一维位置灵敏探测、高能粒子探测、射线成像线阵探头。

使用注意事项

1. 裸片无保护窗口，感光面极易划伤、沾染水汽与油污，不可长期裸露，必须封装保护

2. 耦合条状闪烁晶体时，选用适配光学耦合剂，降低界面光损耗

3. 反向偏压不可超过 100V，防止器件击穿损坏

4. 暗电流随温度上升明显，高精度测量场景建议控温

5. 不适合深紫外波段检测