【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3584-09

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3584-09

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3584-09

产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S3584-09 超大方形硅 PIN 光电二极管，陶瓷无窗口裸片封装，感光面 28×28 mm，电气参数和 S3584-08 保持一致，去掉环氧树脂窗口，消除界面光损耗，适合直接和大尺寸 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体贴合耦合封装，多用于大型射线探测探头。

核心参数

• 光谱响应范围：340 nm～1100 nm

• 峰值响应波长：960 nm

• 典型灵敏度：0.66 A/W

• 最大反向电压：100 V

• 最大暗电流：30000 pA（VR=70V）

• 典型截止频率：10 MHz

• 典型结电容：300 pF（VR=70V，1MHz）

• 典型噪声等效功率：8.6×10⁻¹⁴ W/Hz¹ᐟ²

• 受光面积：28 mm × 28 mm

• 窗口：无窗口（裸芯片）

• 封装：陶瓷封装

• 工作温度：-20℃～+60℃

• 存储温度：-20℃～+80℃

产品特点

1. 超大方形感光面，适配大规格闪烁晶体，光收集效率高，能量分辨率优异

2. PIN 结构，响应稳定，匹配闪烁体发光波段

3. 无窗口裸片设计，省去环氧树脂层吸收，耦合后输出信号更强

4. 陶瓷基底，结构牢固，适合射线探测模组长期稳定工作

5. 和 S3584-08 对比：S3584-08 带环氧树脂窗口；S3584-09 无窗口，用于密封耦合封装

应用场景

大尺寸 X 射线 /γ 射线闪烁探测器、安检大型射线探头、核辐射检测设备、工业 CT 无损检测、TOF 时间计数器、高能粒子探测。

使用注意事项

1. 裸片无保护窗口，感光面极易划伤、被水汽和油污污染，不可直接裸露长期使用，必须封装保护

2. 与闪烁晶体耦合时，选用适配光学耦合剂，降低界面反射损耗

3. 反向偏压不可超过 100V，防止器件击穿损坏

4. 感光面积大，结电容偏高，带宽相比小型号更低

5. 暗电流数值较大，高温环境噪声上升明显，高精度测量建议控温

6. 不适合深紫外检测场景