【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3204-09
2026-10-26 09:28:50
admin
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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3204-09
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅PIN光电二极管S3204-09

产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S3204-09 大面积硅 PIN 光电二极管,陶瓷无窗口裸片封装,感光面 18×18 mm,和 S3204-08 电气参数一致,去掉环氧树脂窗口,适合直接和 BGO、CsI (Tl) 闪烁晶体贴合耦合,多用于射线探测模组封装。
核心参数
光谱响应范围:340 nm~1100 nm
峰值响应波长:960 nm
典型灵敏度:0.66 A/W
最大反向电压:100 V
最大暗电流:20000 pA(VR=70V)
典型截止频率:20 MHz
典型结电容:130 pF(VR=70V,1MHz)
典型噪声等效功率:6.6×10⁻¹⁴ W/Hz¹ᐟ²
受光面积:18 mm × 18 mm
窗口:无窗口(裸芯片)
封装:陶瓷封装
工作温度:-20℃~+60℃
存储温度:-20℃~+80℃
产品特点
方形大感光面,与闪烁体发光波段匹配,能量分辨率优良
PIN 结构,响应速度快,结电容低,适合高速光信号采集
无窗口设计,消除环氧树脂光损耗,耦合闪烁体后信号更强
陶瓷基底,结构稳定,长期工作漂移小
和 S3204-08 对比:S3204-08 带环氧树脂窗口;S3204-09 无窗口裸片,适合密封耦合封装
应用场景
X 射线、γ 射线闪烁探测,核辐射检测仪,安检探测模组,TOF 时间计数器,高能粒子探测,工业无损检测,射线成像探头。
使用注意事项
裸片无保护窗口,感光面极易划伤、沾染水汽油污,必须封装保护,不可长期裸露使用
和闪烁晶体耦合时,选用合适光学耦合剂,减少界面光损耗
反向偏压严禁超过 100V,防止器件击穿损坏
暗电流随温度升高明显,高精度测量场景建议做温控
不适合直接用于深紫外检测
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