产品概述

核心参数

• 通道数：64 通道

• 单通道受光面积：0.7 × 0.8 mm

• 像元间距：0.8 mm

• 有效感光总长：51.2 × 0.8 mm

• 光谱响应范围：200～1000 nm

• 峰值响应波长：720 nm

• 供电电压：5 V

• 最大行速率：14678 行 / 秒

• 反馈电容：0.5 pF

• 结构：背照式，不含闪烁体

• 工作温度：-20℃～+60℃（无结露）

• 储存温度：-55℃～+80℃

• 冷却方式：非制冷

产品特点

1. 无预装闪烁体，客户可按需选配 GOS、CsI (Tl) 闪烁片，适配不同 X 光能量方案

2. X 射线耐辐照性能优于 S11865 同规格型号，适合长时间连续 X 光扫描工况

3. 一体化集成信号处理电路，省去外部多路运放，外围驱动电路简单，开发便捷

4. 0.8mm 大像元间距，单通道信号强度高，低剂量 X 光场景信噪比稳定

5. 背照结构，感光面无键合焊盘，贴合闪烁片时不容易损伤芯片

6. 支持多只首尾串联拼接，搭建超长线性接收阵列；可双层叠放实现双能成像

7. 同系列配套型号：S11866-64G-02（预耦合 GOS 闪烁体）、S11866-128-02、S11866-128G-02

应用场景

使用注意事项

1. 供电严格使用 5V，电压异常容易损坏内置 ASIC 芯片

2. 本型号不带闪烁体，探测 X 射线需要自行搭配闪烁转换层

3. 芯片质地脆弱，贴合闪烁体时控制压力，避免芯片碎裂

4. 驱动需要匹配规格书 CLK、RESET、Trig 时序信号

5. PCB 布线数字时钟与模拟信号分区隔离，降低通道串扰

6. 器件静电敏感，装配、贴合闪烁体全程落实防静电防护

7. 使用环境严禁结露，水汽会造成芯片、粘接层劣化

8. 和 S11865-64 对比：光学、时序参数基本一致，S11866 系列 X 光耐受度更高，适合长期 X 光连续照射场景