【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-021
2026-10-23 10:32:21
admin
0
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-021
【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管阵列S12363-021
产品概述
【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S12363-021 硅光电二极管阵列，背照式 16 通道线性阵列，基板尺寸 40.4 × 20.0 mm，不带闪烁体，属于 S12363 系列 X 光检测专用传感器，和 S12362 光学芯片参数一致，基板宽度更大，安装固定更稳固，入射面无键合引线，方便客户自行贴合闪烁体，支持多片拼接组成长线阵。
核心参数
通道数：16 通道
单通道受光面积：2.2 × 2.7 mm
像元间距：2.5 mm
基板尺寸：40.4 × 20.0 mm
光谱响应范围：340～1100 nm
峰值响应波长：920 nm
典型灵敏度：0.61 A/W（920nm）
最大暗电流：50 pA（VR=10mV，单通道）
典型上升时间：6.5 μs
典型端子电容：75 pF（VR=0V，单通道）
最大反向电压：15 V
结构：背照式，不含闪烁体
工作温度：-20℃～+60℃（无结露）
储存温度：-55℃～+80℃
冷却方式：非制冷
产品特点
无预装闪烁体，可按需选配 CsI (Tl)、GOS 陶瓷闪烁片，灵活适配不同 X 光能量方案
背照结构，感光面无键合引线，贴合闪烁片时不容易损伤芯片
基板加宽至 20mm，对比 S12362 机械稳定性更强，抗震性更好，适合震动工况设备
单通道感光面积大，信号输出强，低剂量 X 光场景信噪比优异
多只串联拼接，可拓展长线扫描视野，支持双层叠装实现双能 X 光成像
同系列配套预闪烁体型号：S12363-121（CsI (Tl)）、S12363-321（GOS 陶瓷）、S12363-421（荧光片）
应用场景
X 光安检设备、工业 X 光无损探伤、流水线物料杂质检测、板材厚度检测、线扫描 X 光成像、双能 X 光识别模组等。
使用注意事项
最大反向电压 15V，严禁超压，防止通道芯片损坏
本型号不带闪烁体，探测 X 射线必须自行搭配闪烁转换层
芯片质地脆弱，贴合闪烁体时控制压力，避免芯片碎裂
PCB 布线时分通道独立走线，做好隔离，降低通道串扰
器件静电敏感，装配、贴合闪烁体全程落实防静电防护
使用环境严禁结露，水汽会造成芯片、粘接层劣化
和 S12362-021 对比：芯片光学参数完全一致，S12363 基板更宽，固定稳定性更好