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【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S1226-8BK

2026-10-23 09:31:57 admin 1

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S1226-8BK

【高斯摩】HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S1226-8BK


产品概述

【高斯摩】HAMAMATSU 滨松 S1226-8BK 硅光电二极管,TO-8 金属封装、硼硅玻璃窗口,属于 S1226 系列精密测光型器件,近红外灵敏度做抑制处理,受光面积相比 S1226-5BK 大幅增大,适合紫外到可见光波段的弱光收集与光度测量。

核心参数

  • 受光面积:5.8 × 5.8 mm

  • 光谱响应范围:320~1000 nm

  • 峰值响应波长:720 nm

  • 典型灵敏度:0.36 A/W(720nm)

  • 最大暗电流:20 pA(VR=10mV)

  • 典型上升时间:2 μs

  • 典型端子电容:1200 pF(VR=0V)

  • 噪声等效功率:5.0×10⁻¹⁵ W/Hz¹ᐟ²

  • 最大反向电压:5 V

  • 封装:TO-8 金属封装,硼硅玻璃窗口

  • 工作温度:-40℃~+100℃(无结露)

  • 储存温度:-55℃~+125℃

  • 冷却方式:非制冷

产品特点

  1. 抑制近红外响应,减少红外杂散光干扰,可见光测光精度稳定

  2. 5.8mm×5.8mm 大受光面,光采集能力更强,光路对准难度低

  3. 低暗电流,微弱光检测性能优秀,适合低亮度场景

  4. TO-8 密封金属封装,气密性好,工业设备长期使用可靠性高

  5. 同系列有石英窗口版本 S1226-8BQ,紫外探测下限更低

应用场景

照度检测、色度测量、分光光度计、紫外监测、生化光学分析、环境光学检测、精密光度仪器等。

使用注意事项

  1. 最大反向电压仅 5V,严禁超压使用,避免芯片击穿

  2. 结电容很高,上升时间 2μs,不适合高速调制光、高频激光接收

  3. 硼硅玻璃窗口容易划伤,避免硬物磕碰、油污附着

  4. 器件静电敏感,装配、测试全程落实防静电防护

  5. 对比 S1226-5BK,本型号受光面更大、暗电流指标略高,选型按需取舍


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