在半导体芯片加工中，划片机是分割晶圆的核心设备。对于大部分中小企业来说，单轴划片机因价格亲民成为首选，

但它一直有个致命短板——应力释放不均，

切割时容易出现崩边、崩角，尤其是小尺寸芯片，良品率很难保障。而能解决这个问题的双轴划片机，价格昂贵，让不少企业望而却步。

给单轴划片机带来了“升级方案”：通过“宽刀开槽半切割+窄刀全切割”的分步工艺，搭配精准的切割顺序设计，

不仅彻底解决了单轴划片机的崩边痛点，

还不用额外购置高端设备，让低成本设备也能达到媲美双轴划片机的加工质量！

一、单轴划片机的“两难困境”：便宜但难用，好用但太贵

半导体芯片的划片环节，一直存在“成本与质量”的矛盾：

• 双轴划片机：采用双刀切割，应力释放均匀，还能宽刀开槽、窄刀切透，加工质量好，但设备价格高昂，中小企业难以承受；

• 传统单轴划片机：价格仅为双轴的几分之一，但应力释放能力差。如果按常规方式连续切割，晶圆表面容易积累应力，

• 导致芯片边缘崩缺、角落破损，尤其是芯片尺寸越小，这个问题越严重；

• 额外麻烦：单纯用宽刀一次性开槽，容易划伤晶圆衬底；单纯用窄刀直接切透，刀轮损耗快，还会加剧崩边风险。

这个困境直接导致不少中小企业陷入“要么降成本降良品率，要么提质量增负担”的两难。

二、核心创新：两步工艺+精准参数，让单轴划片机“逆袭”

核心思路是给单轴划片机设计一套“分步工作法”——先用药刀开槽释放应力，再用窄刀精准切透，配合特定的切割顺序，

从根源上解决应力积累导致的崩边问题。整个工艺分为两大阶段，每一步都暗藏巧思：

第一阶段：宽刀开槽半切割，先释放应力

先用刀宽30~50μm的宽刀，对晶圆进行“半切割”（不切透），目的是提前开出应力释放通道，

避免后续全切割时应力集中。具体步骤如下：

1. 准备工作：将贴好胶片的晶圆固定在载物台上，设定参数——晶圆厚度d，胶片厚度t，开槽深度x控制在d/3d/2（比如d=0.3mm，x就设0.10.15mm），切割高度为t+d-x；

2. 水平方向切割：沿水平方向（0°角）切割，步进距离设为a*m（a是单颗芯片竖向宽度，m是连续刀痕间的芯片行数，比如m=3，就是每3颗芯片开一道槽）；

3. 旋转切割：载物台逆时针转90°，沿竖向方向切割，步进距离为b*n（b是芯片横向长度，n是芯片列数，比如n=2）；

4. 重复交替：顺时针转90°回到水平方向，以上一组切割道为起点继续开槽，再逆时针转90°补竖向开槽，直到完成m组水平、n组竖向开槽（实施例中m=3、n=2，刚好覆盖全晶圆）。

第二阶段：窄刀全切割，精准切透

宽刀开槽完成后，换成刀宽15~25μm的窄刀，进行全切割，把晶圆彻底分割成单个芯片：

1. 重新固定：取下开槽后的晶圆，固定到装载窄刀的载物台上，设定全切割深度y，范围在(d+1/5t)~(d+1/2t)（确保切透晶圆但不损伤胶片）；

2. 水平切透：沿水平方向按步距a（单颗芯片宽度）依次切割，覆盖所有预设切割道；

3. 竖向切透：载物台转90°，沿竖向按步距b切割，完成全部分割，最后冲洗甩干即可。

三、为什么这套方法这么管用？3大核心优势

1. 应力分步释放，崩边风险大降：宽刀先开出浅槽，让晶圆表面的应力提前释放，后续窄刀切透时，不会因应力集中导致边缘崩裂；而且宽刀开槽时

   将小尺寸芯片组合成大单元切割，进一步减少了局部应力；

2. 刀轮损耗减少，降低加工成本：宽刀负责开槽，不用承受切透的负荷；窄刀只负责切透已经开槽的区域，阻力小、损耗慢，相比传统单轴切割，刀轮更换频率大幅降低；

3. 不用换设备，性价比拉满：整套工艺都在普通单轴划片机上完成，不用额外购置双轴设备，就能达到类似的加工质量。对于中小企业来说，

4. 相当于花小钱实现了“设备升级”，大幅降低了投入成本。

四、实际应用价值：适配小尺寸芯片，助力中小企业量产

这套划片方法特别适合小尺寸、高精度芯片的加工，比如目前主流的0.7mm×0.7mm规格芯片，

切割后边缘平滑，崩边、崩角发生率显著下降

在实际生产中，它能直接解决中小企业的核心痛点：不用承担双轴划片机的高额成本，

就能提升芯片良品率，同时减少刀轮损耗和废品率，

进一步降低综合加工成本。对于半导体封装、芯片制造等行业来说，这套工艺的落地，

将让单轴划片机的应用场景更广泛，助力中小企业在高端芯片加工领域更具竞争力。