从智能卡的轻薄化需求，到3D封装的高密度集成，芯片“变薄”早已成为半导体行业的核心趋势——如今8英寸芯片

的厚度已普遍做到100μm以下，未来甚至有望突破30μm大关。

但对于300mm大尺寸硅片来说，超薄化一直是棘手难题：传统工艺容易导致芯片破损、崩口，还受硅片直径限制。

而先划片后研磨（DBG）技术的出现，彻底打破了这一瓶颈，

成为无论硅片大小都能实现超薄化的关键解决方案。今天就带大家深度拆解这项半导体封装领域的“硬核技术”～

一、颠覆传统：DBG技术到底牛在哪？

传统芯片封装的流程是“表面贴膜→背面研磨→去应力→剥膜→装框架→切割”，这种“先磨后切”的模式有个致命缺陷：

研磨后的硅片本身就很脆弱，

后续切割极易产生崩口、微裂纹，芯片破损率居高不下，尤其在处理大尺寸或超薄硅片时问题更突出。

DBG技术则反其道而行之，把流程改成“先半切割→表面贴膜→背面研磨→去应力→装框架”：

先在硅片上切到只剩20μm的厚度，再贴保护膜进行背面研磨，

直到达到目标厚度。这种“先切后磨”的核心优势的是：

• 破损率大降：切割和研磨工序完全分离，避免了传统工艺中“薄硅片切割”的风险，外围芯片破损机率几乎可以忽略；

• 芯片强度升级：背面研磨后崩口数量大幅减少，再配合去应力处理，芯片强度比传统工艺提升明显；

• 不受尺寸限制：无论硅片是8英寸还是300mm，都能稳定实现超薄化，为大尺寸硅片封装扫清障碍；

• 工序更精简：相比传统流程减少了剥膜等步骤，生产效率更高。

二、配套工艺大PK：哪些技术在助力超薄化？

DBG技术的落地，离不开一系列配套工艺的支撑，不同工艺各有优劣，适配不同场景：

1. 湿刻（Wet etching）

• 优势：蚀刻速度快，产量能媲美研磨，还能有效消除研磨带来的微裂纹、解决晶圆不平整问题，在智能卡领域已广泛应用；

• 短板：会产生大量NOx废气和废液，环保处理成本高，从绿色生产角度来看亟待替代。

2. 化学机械抛光（CMP）

• 优势：能彻底去除研磨产生的微小崩口，芯片强度更高、弯曲度更低，而且研磨平整度极佳；

• 短板：速度慢（仅1μm/min），最大研磨量受限，还需要处理研磨洗涤液，环保压力仍在。

3. 干刻（Dry etching）

• 痛点：最大问题是硅片温度会升高，而且超薄硅片（100μm以下）贴保护膜后难以剥离，低温蚀刻等关键技术仍处于待开发阶段，目前实用性不强。

4. 干式抛光（Dry polishing）

• 亮点：这是某公司的独有技术，利用硅材料特性，用磨轮刀具干式研磨，不用药液和洗涤剂；

• 优势：能完全去除微小崩口，加工速度和CMP相当，而且运作成本最低，只需要单纯的系统成本，是兼顾效率、效果和成本的潜力选手。

三、3D封装+智能搬运：DBG的“黄金搭档”

随着3D封装的兴起，芯片积层数增加，传统的环氧树脂键合方式逐渐被DAF（芯片粘接膜）替代。

不过在DAF与芯片分别压着的场景下，

DBG技术暂不适用，目前单片化DAF在键合工序中的应用更普遍。

而对于超薄硅片的搬运和加工，传统片盒搬运方式风险极高——100μm以下的硅片弯曲度大，稍不注意就会破损。

这时硅片支持系统（WSS）就派上了用场：它能将研磨机、UV照射机、贴膜机、去膜机连成一体化连线工艺，

从研磨后到装切割框架的所有步骤连续完成.

既能避免超薄硅片在搬运中破损，又能保证生产连续性。不过这套系统也有小遗憾：产能由系统中最慢的设备决定，

而且限制了单机使用的灵活性，目前厂商正在持续优化。

另外，面对面双轴划片机的升级也很关键。相比传统平行双轴划片机，它的主轴改为面对面配置，

X轴移动行程缩短，产能直接提升30%，还能实现“分步切割”——分别去

除硅片切割槽内的TEG和分割小芯片，大幅降低芯片表面崩口。随着铜引线的普及，

这种双轴划片机的需求越来越高，目前出货量已占划片机总出货量的50%以上。

四、行业挑战与未来：技术落地还要跨哪些坎？

尽管DBG技术优势明显，但行业仍面临不少挑战：300mm大口径硅片的封装要求越来越高，

设备大型化、高额化与成本降低的矛盾日益突出；

湿刻、CMP等工艺的环保问题亟待解决；干刻的低温技术、DAF适配等仍需突破。

不过厂商也在积极发力：一方面聚焦干抛光、WSS等技术的成本优化，致力于降低COO（拥有成本）；

另一方面持续迭代WSS系统，第一代已亮相，第二代正在研发中。

未来随着这些技术的成熟，芯片超薄化将迎来更广泛的应用，为3D封装、大尺寸硅片、高密度集成等领域打开新的想象空间。

半导体行业的进步，往往源于对“极限”的突破。DBG技术用“反向思维”破解了超薄芯片封装的核心难题，

再加上配套工艺和设备的持续升级，

未来我们或许能看到更薄、更强、更高效的芯片，赋能更多高端电子设备的发展～